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ASUS “공급난 장기화 시 대규모 인상 불가피” 경고

ASUS “공급난 장기화 시 대규모 인상 불가피” 경고 ASUS “공급난 장기화 시 대규모 인상 불가피” 경고 램 가격 급등, 게이머 직격탄 되나 최근 DRAM 가격 폭등이 업계 전반으로 확산되면서, 이제 소비자 시장에도 직접적인 영향을 미칠 조짐을 보이고 있다. ASUS 의 공동 CEO는 “현재의 메모리 가격 구조는 지속 불가능한 수준”이라며, 공급난이 이어질 경우 노트북·미니PC·휴대용 게이밍 기기 등의 가격 인상이 불가피하다고 경고했다. 대만 자유시보(Liberty Times) 보도에 따르면, ASUS는 “메모리 가격 급등은 업계 전반의 공통된 문제”라고 밝히며, 공급 불균형이 장기화될 경우 가격 조정이 불가피하다고 설명했다. “유통 파트너와 소비자 수요, 생산 단가를 모두 고려해 제품 구성과 가격을 조정할 예정”이라고 덧붙였다. 현재 소비자용 메모리 시장은 AI 산업의 폭발적 수요로 인해 가격이 천정부지로 치솟는 상황이다. Corsair, Adata 등 주요 제조사들은 이미 ‘신규 주문 중단(order halt)’ 상태를 선언했으며, DRAM 공급 부족이 심화되면서 PC 제조업체들 역시 재고 유지에 어려움을 겪고 있다. ASUS는 글로벌 시장에서 CPU·GPU 제조사의 주요 파트너 중 하나로, 램 가격 인상은 완제품의 생산 원가와 재고 유지 비용에 직접적인 압박을 준다. 특히 노트북·미니PC·게이밍 시스템 등은 DDR5 메모리 탑재가 필수적이기 때문에, 이들 제품의 소비자 가격에도 큰 변동이 예상된다. 문제는 수요가 줄 기미가 없다는 점이다. AI 산업은 여전히 HBM(고대역폭 메모리) 과 DDR 기반 DRAM 의 대량 수요를 견인하고 있으며, 여기에 윈도우 10 지원 종료(EOL) 로 인한 PC 업그레이드 수요까지 겹치면서 소비자 시장에서도 RAM 수요 폭증이 이어지고 있다. ASUS 관계자는 “메모리 공급이 불안정한 상황에서 소비자용 제품의 재고가 빠르게 소진되고 있다”고 밝혔다. 일시적 현상이 아닌, AI 중심 산업 구조 전환의 여파가 소비자 시장으로 확산되는 과정으로 해석된다. 전문가는 “현재의 가격 상승세가 단기적으로 안정될 가능성은 낮으며, 램 가격은 지금보다 더 오를 가능성이 높다”고 전망했다. PC 게이머와 업그레이드를 고려 중인 소비자라면, 지금이 마지막 ‘합리적 구매 시점’이 될 수 있다.

컴퓨터 구라파통신원 2025-11-13

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낸드 시장 가격 폭등, 파이슨 CEO “이런 수요는 처음 본다”

낸드 시장 가격 폭등, 파이슨 CEO “이런 수요는 처음 본다” 낸드 시장 가격 폭등, 파이슨 CEO “이런 수요는 처음 본다” AI 붐이 반도체 공급망 전반을 휩쓸면서, 이제 낸드(NAND) 플래시 시장까지 초유의 수요 압박을 받고 있다. 글로벌 SSD 컨트롤러 제조사 파이슨(Phison) 은 3분기 실적 발표에서 “낸드 수요가 업계 역사상 한 번도 경험하지 못한 수준으로 폭증하고 있다”며 시장 상황을 “충격적(shocking)”이라고 표현했다. 파이슨 CEO 푸아 켄셍(Khein-Seng Pua) 은 실적 콜에서 “현재의 메모리 사이클은 전례가 없다”고 밝혔다. 그는 “DRAM뿐 아니라 낸드 TLC의 평균판매단가(ASP) 가 불과 몇 달 만에 50~75% 급등했다”며 “이로 인해 소비자용 SSD 및 저장장치 가격이 대폭 상승할 것”이라고 경고했다. AI 추론 시대가 본격화되면서, 대형 데이터센터는 모델 저장 및 LLM(대규모 언어모델) 사전 로딩용으로 낸드 기반 SSD를 대거 채택하고 있다. 새로운 모델 업데이트가 있을 때마다 SSD에 반영되는 방식이기 때문에, 기존의 서버·클라우드 인프라 대비 낸드 수요가 폭증한 것이다. 이에 따라 시장은 “타이트(tight)한 공급 상태”로 전환됐으며, TLC 낸드의 가격 상승세는 앞으로도 계속될 전망이다. 파이슨 CEO는 “지난 5년간, 특히 코로나19 이후 낸드 업계는 수익이 거의 없었다”며 “공장 증설을 미루던 기업들이 이제야 이익을 내기 시작했다”고 언급했다. 즉, 오랜 기간 공급 과잉으로 고전하던 낸드 제조사들이 AI 특수로 가격 인상과 생산 확대에 나설 기반이 마련됐다는 의미다. 이어 “지금의 AI 수요는 그 어떤 시장 사이클과도 비교할 수 없다”며 “현재 가동률이 낮은 낸드 생산시설이 점차 늘어나며, 공급 확대가 뒤따를 것”이라고 덧붙였다. 하지만 이는 단기적으로 가격 안정으로 이어지지 않을 가능성이 크다. DRAM 시장에서도 올해 초 수요 급등으로 인해 모듈 가격이 단기간에 두 배 이상 폭등한 전례가 있다. 낸드 역시 같은 흐름을 따를 것으로 보인다. 특히 고용량 SSD 및 PCIe 5.0 기반 저장장치는 향후 가격 상승폭이 더욱 클 것으로 예상된다. 결국 소비자 입장에서는 이번 연말·연초 프로모션 시즌이 PC 스토리지 업그레이드의 마지막 기회가 될 가능성이 높다. AI로 인한 낸드 공급난이 지속된다면, 내년에는 SSD 한 개 가격이 지금보다 훨씬 더 비싸질지도 모른다.

반도체 구라파통신원 2025-11-11

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서린씨앤아이, 어페이서(Apacer) 공식 런칭

서린씨앤아이, 어페이서(Apacer) 공식 런칭 서린씨앤아이가 메모리·스토리지 전문 브랜드 어페이서(Apacer) 유통을 공식 재개했다. 첫 단계로 게이밍 메모리 NOX/NOX RGB DDR5와 표준 규격 DDR5 UDIMM을 선보이며, 향후 SATA SSD로 제품군을 확대할 예정이다. 어페이서 DDR5 메모리는 XMP 3.0과 EXPO를 모두 지원해 원클릭 튜닝이 가능하며, 공랭 쿨러와의 간섭을 최소화한 44mm 저간섭 설계로 조립 환경에 최적화됐다. 컴퓨터 부품 전문 유통기업 서린씨앤아이는 메모리·스토리지 브랜드 어페이서(Apacer)의 국내 유통을 공식 재개했다고 밝혔다. 고성능 게이밍 메모리 NOX/NOX RGB DDR5 시리즈와 표준 규격 DDR5 UDIMM 라인업을 시작으로, 추후 SATA SSD 제품군까지 단계적으로 확대될 예정이다. 어페이서 NOX 및 NOX RGB DDR5 메모리는 모듈 일체형 PMIC와 온다이 ECC를 탑재하고, Intel XMP 3.0과 AMD EXPO 기술을 모두 지원한다. 이를 통해 사용자는 원클릭으로 간편하게 최적의 성능을 설정할 수 있으며, 안정성과 호환성을 동시에 확보했다. 특히 NOX RGB DDR5는 알루미늄 히트싱크와 상단 RGB 라이트를 적용하면서도 전체 높이를 44mm 미만으로 설계해 공랭 쿨러와의 간섭을 최소화했다. 첫 제품은 6000MT/s(CL38) 및 5200MT/s(CL40) 듀얼채널 키트다. RGB 유무와 블랙·실버(화이트) 색상 옵션을 제공하며, 대표 제품으로 Apacer DDR5-6000 CL38 NOX RGB BLACK/SILVER(32GB·64GB)와 Apacer DDR5-5200 CL40 NOX(화이트·블랙, RGB/비RGB)가 있다. 모든 제품은 주요 메인보드 제조사의 QVL 기준에 부합하는 호환성을 지향한다. 표준형 DDR5-5600 CL46 UDIMM 제품은 사무용·교육용·보급형 조립 시장을 겨냥해 출시됐다. 히트싱크를 생략한 단일 모듈 구성(16GB·32GB)으로 안정성, 효율성, 호환성을 우선한 설계가 특징이다. 어페이서는 ‘쉽게 사용할 수 있는 고성능 제품’을 브랜드 철학으로 삼고 있으며, 안정된 성능과 간편한 설치, 합리적인 가격을 바탕으로 국내 조립 환경에 적합한 사용자 경험을 제공할 계획이다. 서린씨앤아이는 메모리 제품군을 시작으로 스토리지 부문까지 유통 영역을 확장할 예정이며, PC 메모리 전 제품에는 라이프 타임 워런티가 적용된다. 제품 단종 시 보증기간은 종료되지만, 재고가 남아 있는 제품에 대해서는 남은 기간 내 추가 보증 서비스를 제공할 방침이다.

컴퓨터 대장 2025-11-10

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SK하이닉스, 2029~2031 차세대 메모리 로드맵 공개

SK하이닉스, 2029~2031 차세대 메모리 로드맵 공개 SK하이닉스, 2029~2031 차세대 메모리 로드맵 공개 HBM5·DDR6·GDDR7-Next·400단 이상 4D 낸드 예고 SK하이닉스가 SK AI Summit 2025에서 2029~2031년을 겨냥한 차세대 메모리 로드맵을 공개했다. 로드맵에는 HBM5/HBM5E, GDDR7-Next, DDR6, 그리고 400층 이상 4D NAND가 포함돼 있으며, 차세대 AI 인프라와 고성능 컴퓨팅 수요에 대응하기 위한 구체적인 전략이 제시됐다. 2026~2028: HBM4·HBM4E와 맞춤형 HBM(Custom HBM) 하이닉스는 2026~2028년 사이 HBM4 16-Hi, HBM4E 8/12/16-Hi 제품군을 순차적으로 선보일 계획이다. 여기에 GPU·ASIC용 맞춤형(Custom) HBM 솔루션도 병행 개발 중이다. 커스텀 HBM은 HBM 컨트롤러 및 프로토콜 IP를 베이스 다이(Base Die) 로 이전해, GPU와 AI 가속기의 연산 칩 면적을 확장하고 인터페이스 전력 소비를 줄이는 구조를 채택한다. SK하이닉스는 솔루션의 베이스 다이와 공정 최적화를 위해 TSMC와 협력 중이다. 동 시기에는 또 다른 주요 DRAM 라인업으로 LPDDR6, LPDDR5X SOCAMM2, LPDDR5R, MRDIMM Gen2, CXL LPDDR6-PIM(2세대) 등 AI 중심의 DRAM 제품군이 포함된다. NAND 부문에서는 PCIe Gen5 eSSD(최대 245TB QLC), PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0, 그리고 AI 연산에 특화된 AI-N NAND 솔루션이 개발된다. 2029~2031: HBM5·HBM5E와 DDR6, 그리고 GDDR7-Next 다음 단계인 2029~2031년 구간에는 HBM5와 HBM5E, 그리고 커스텀 HBM5 솔루션이 로드맵에 포함돼 있다. 그래픽 메모리에서는 GDDR7-Next가 새롭게 등장하며, 이는 현재의 GDDR7(최대 48Gbps)을 뛰어넘는 후속 규격이다. GDDR7의 최대 속도를 완전히 활용하는 데 2027~2028년까지 걸릴 것으로 예상되며, 하이닉스는 그 이후 차세대 표준으로 GDDR7-Next를 투입할 계획이다. 메인스트림 DRAM 시장에서는 DDR6이 같은 시기에 본격화된다. 이는 기존 DDR5 이후 데스크톱·노트북 PC에 적용될 차세대 규격으로, 업계 전반의 도입은 2030년 전후가 될 전망이다. NAND: 400층 이상 4D NAND 및 High-Bandwidth Flash(HBF) NAND 분야에서는 400단 이상 적층의 4D NAND와 함께 HBF(High-Bandwidth Flash) 기술이 주력으로 개발된다. HBF는 AI 추론(inference) 환경에서 높은 대역폭과 효율을 제공하도록 설계된 차세대 낸드 구조로, 향후 AI PC 및 고성능 SSD에서 핵심 역할을 담당할 것으로 기대된다. SK하이닉스는 로드맵에서 Full Stack AI Memory 전략을 제시했다. 기존 범용 메모리 중심 구조에서 벗어나, AI 최적화 DRAM(AI-D) 과 AI용 NAND(AI-N) 로 제품군을 세분화해 AI 연산 효율을 극대화한다는 계획이다. AI-D O(Optimization): 저전력·고성능 메모리로 TCO(총소유비용) 절감 및 효율성 향상 AI-D B(Breakthrough): 초대용량·유연한 메모리 할당으로 메모리 병목(Memory Wall) 극복 AI-D E(Expansion): 로보틱스, 자율주행, 산업 자동화 등으로 메모리 활용 영역 확장 SK하이닉스는 “AI 시대에는 컴퓨팅보다 메모리 효율이 핵심 경쟁력으로 작용할 것”이라며, HBM·AI-DRAM·AI-NAND로 이어지는 통합 메모리 생태계 구축에 집중하겠다고 밝혔다. 이는 하이닉스가 단순 메모리 제조사를 넘어 AI 인프라 최적화 기업으로의 전환을 선언한 전략적 신호로 해석된다. 출처: WCCFtech

컴퓨터 구라파통신원 2025-11-04

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AI 수요 폭발로 올해 DRAM 가격 172% 급등

AI 수요 폭발로 올해 DRAM 가격 172% 급등 AI 수요 폭발로 올해 DRAM 가격 172% 급등 삼성·하이닉스, DDR 신규 주문 중단 2025년 들어 DRAM 가격이 연초 대비 172% 상승하며, 메모리 업계가 초유의 공급 위기를 맞고 있다. AI 시장의 폭발적 수요가 대부분의 생산 능력을 흡수하면서, 주요 제조사들이 소비자용 DDR 메모리 신규 주문을 일시 중단하는 상황까지 이어졌다. DigiTimes 보도에 따르면, 삼성전자는 최근 DDR5 계약 가격 산정을 중단했으며, 마이크론(Micron)과 SK하이닉스 역시 비슷한 조치를 검토 중이다. AI 데이터센터와 클라우드 서비스 제공업체(CSP)의 수요가 급격히 늘어나면서, 기존의 소비자용 DRAM 생산 라인이 대거 HBM 및 AI 서버용 DDR5로 전환된 것이다. 이로 인해, 소비자용 DDR4·DDR5 메모리 생산량이 크게 줄어들고, 삼성·하이닉스·마이크론 모두 “신규 주문을 받지 못하는” 이례적 상황이 발생했다. DDR5 가격, 한 달 새 두 배 폭등 스팟(spot) 시장 기준으로 DDR5 16Gb 제품 가격은 지난달 대비 거의 두 배 상승한 15.50달러를 기록했다. 이는 올해 들어 172% 급등한 수치이며, 내년 1분기까지 상승세가 지속될 가능성이 높다. 특히 AI 서버 업체들이 장기 계약(Long-Term Contract) 으로 메모리를 선점하고 있어, 일반 소비자 시장의 공급은 더욱 제한될 것으로 전망된다. 소비자 시장, 20~40% 가격 인상 현실화 소비자용 메모리 브랜드인 커세어(Corsair), 에이데이타(Adata) 등의 제품 가격은 3분기 이후 꾸준히 상승세를 보이고 있다. 소매 시장에서도 최근 몇 주간 최소 20~40% 인상이 확인되며, 재고 부족이 심화되는 상황이다. 제조사들이 AI용 메모리 생산에 집중하는 동안, 일반 PC용 DDR 메모리는 사실상 공급 부족이 구조적으로 고착화되고 있다. DRAM 제조사 입장에서는 이 같은 수요 폭발이 매출 급등의 기회지만, 소비자에게는 악재다. 특히 연말 세일 시즌을 앞두고 있는 지금, 향후 몇 달 내 메모리 가격이 추가로 오를 가능성이 높다. 전문가들은 “PC 업그레이드를 계획 중이라면 더 늦기 전에 메모리를 구매하는 것이 현명하다”고 조언한다. 2026년 1분기까지 공급 병목 현상이 해소되지 않을 것으로 보이며, AI 시장의 확장이 지속되는 한 DRAM 가격 상승세는 이어질 전망이다. 출처: WCCFtech / Muhammad Zuhair (2025년 11월 3일 온라인 판)

컴퓨터 구라파통신원 2025-11-04

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삼성, 엔비디아와 차세대 HBM4 공급 계약 체결 삼성, 엔비디아와 차세대 HBM4 공급 계약 체결 삼성이 엔비디아와 차세대 HBM4 AI 메모리 공급 계약을 체결했다. 이번 협력은 양사가 AI 인프라 핵심 기술을 공동 개발하는 과정에서 이루어졌으며, 삼성은 이를 통해 업계에서 가장 빠른 11Gbps급 HBM4 성능을 공식 검증받았다. 엔비디아 공급망 진입, HBM4 선점 효과 확보 삼성은 자사의 차세대 HBM4 기술로 엔비디아 공급망에 가장 먼저 진입한 제조사 중 하나로 기록됐다. 이번 발표는 양사의 공동 프로젝트 일환으로 공개됐으며, HBM4가 협력의 핵심 요소로 포함되어 있음을 확인시켰다. 이는 SK하이닉스, 마이크론과의 경쟁에서 삼성이 한발 앞서 나가는 결정적 계기로 평가된다. HBM4는 6세대 10나노급(1β) DRAM 공정과 4나노 로직 베이스 다이로 제작됐으며, 최대 11Gbps의 처리 속도를 구현했다. 이는 현행 JEDEC 표준(8Gbps) 을 크게 웃도는 수치로, 현재 업계에서 가장 빠른 공정으로 인정받고 있다. AI용 고대역폭·저전력 메모리, 루빈 AI 라인업에 투입 예정 삼성과 엔비디아는 HBM4를 포함한 차세대 AI 솔루션을 공동 개발 중이며, 고대역폭과 높은 에너지 효율을 갖춘 HBM4 메모리는 향후 AI 애플리케이션 개발 속도를 크게 앞당길 핵심 인프라로 활용될 전망이다. HBM4는 엔비디아의 차세대 ‘루빈(Rubin)’ AI GPU 라인업에 탑재될 가능성이 높다. 루빈은 AMD의 Instinct MI450 시리즈와 경쟁할 예정으로, HBM4 채택이 성능 경쟁의 승패를 좌우할 요소로 꼽힌다. HBM 사업 반등 신호… SK하이닉스·마이크론 긴장 삼성의 HBM 사업은 그동안 HBM3 개발 지연과 수율 문제로 부진을 겪었지만, HBM4 성능 인증과 엔비디아 계약 체결로 완전히 분위기를 반전시켰다. 그 점에서 이번 계약은 삼성이 글로벌 AI 메모리 시장에서 다시 주도권을 확보했다는 신호로, 향후 SK하이닉스와 마이크론이 HBM4 개발 전략을 재조정할 가능성이 높아졌다.

전자부품 구라파통신원 2025-10-31

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SK하이닉스, 7200MT/s DDR5 신규 칩 4종 포착 ‘2Gb B-다이·4Gb M-다이까지 라인업 확장’

SK하이닉스, 7200MT/s DDR5 신규 칩 4종 포착 ‘2Gb B-다이·4Gb M-다이까지 라인업 확장’ SK하이닉스, 7200MT/s DDR5 신규 칩 4종 포착 ‘2Gb B-다이·4Gb M-다이까지 라인업 확장’ SK하이닉스가 최대 7200MT/s 속도를 지원하는 새로운 DDR5 메모리 칩을 준비 중인 것으로 확인됐다. 최근 중국 전자상거래 플랫폼 JD.com에 등록된 제품 정보에서, 기존 A-다이 외에도 B-다이·C-다이·M-다이 기반 신규 DDR5 칩 3종이 새롭게 등장했다. 4세대 칩 라인업으로 확장, 최대 4Gb M-다이까지 포함 이번에 포착된 칩은 모두 7200MT/s 동작 속도를 지원하며, 제품명에 ‘KB’ 코드가 포함되어 있다. 세부 모델과 스펙은 다음과 같다. 파트 넘버 다이 종류 속도 용량(밀도) H5CG48CKBD-X030 C-다이 7200 MT/s 2Gb H5CGD8AKBD-X021 A-다이 7200 MT/s 3Gb H5CG58MKBD-X051 M-다이 7200 MT/s 4Gb H5CC48BKBD-X030 B-다이 7200 MT/s 2Gb SK하이닉스가 2Gb B-다이를 공개한 것은 이번이 처음이며, 4Gb M-다이 역시 새로운 공정 노드로는 최초의 용량 구성이 된다. 비록 4Gb는 고용량 모듈에 쓰이는 16Gb~24Gb급 다이에 비해 작지만, 초고속·저용량 구성을 위한 특화 제품으로 추정된다. 고속 메모리 구동 위한 10~12층 PCB 필요 7200MT/s급 DDR5 모듈은 신호 간섭과 발열 제어를 위해 10층 혹은 12층 PCB 설계가 필수적이다. 현재 JD.com에 등록된 제품은 샘플 성격이 강하며, 본격 양산 시에는 고층 PCB 기반의 신호 무결성 강화 버전이 등장할 것으로 예상된다. SK하이닉스의 신형 DDR5 칩 포착은 JEDEC 표준(6400MT/s)을 넘어서는 속도 경쟁이 본격화됐음을 보여준다. 업계는 이를 차세대 고성능 PC 메모리 및 오버클러커 시장을 겨냥한 ‘전초전’으로 해석하고 있다. 특히 인텔의 애로레이크 리프레시(Arrow Lake Refresh) 와 팬서레이크(Panther Lake) CPU가 7200MT/s DDR5를 공식 지원할 예정이어서, 향후 이 칩들이 주요 플랫폼의 기반이 될 가능성이 높다. SK하이닉스는 아직 공식 발표를 내놓지 않았지만, 여러 정황상 이미 내부적으로 7200MT/s급 A·B·C·M-다이 풀 라인업을 완성한 것으로 보인다.

전자부품 구라파통신원 2025-10-30

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삼성 HBM4 공개, 로직 수율 90% 달성 하이닉스·마이크론에 도전장 “삼성 HBM4 공개, 로직 수율 90% 달성" 대량 양산 임박, 하이닉스·마이크론에 정면 도전 삼성이 차세대 HBM4 메모리를 처음으로 일반에 공개했다. 한국 반도체 산업의 대표주자인 삼성전자가 SK하이닉스와 마이크론이 주도하던 HBM 시장에 다시 본격적으로 뛰어들며, AI 시대 핵심 부품 경쟁의 중심으로 복귀한 셈이다. 경기도 일산에서 열린 SEDEX 2025(반도체대전) 현장에서 삼성은 HBM3E와 HBM4 모듈을 함께 전시하며 기술적 진전을 강조했다. “로직 다이 수율 90%, 양산은 시간문제.” DigiTimes의 보도에 따르면, 삼성의 HBM4 공정은 로직 다이 수율이 90%에 도달한 상태다. 이는 양산 전환 단계로 진입했음을 의미하며, 현재로서는 일정 지연 가능성도 없는 것으로 평가된다. 삼성은 과거 DRAM 시장에서 주도권을 잃었던 경험을 교훈 삼아, 이번에는 경쟁사와 동시에 양산 라인을 가동하는 전략을 택했다. “HBM4는 AI 경쟁력의 핵심.” HBM4는 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory) 기술의 차세대 규격으로, AI 연산 성능 향상에 직접적으로 기여하는 핵심 부품이다. 삼성, 하이닉스, 마이크론 등 글로벌 메모리 3사는 모두 HBM4 시장 선점을 위해 기술과 생산력을 집중하고 있다. 특히 핀 속도 11Gbps 수준의 성능을 목표로 하고 있으며, 이는 SK하이닉스나 마이크론이 제시한 수치보다 높은 수준이다. 가격 경쟁력과 생산량 확보를 동시에 추진해, 엔비디아(NVIDIA) 같은 주요 고객사의 채택을 이끌어내겠다는 전략이다. “엔비디아 인증은 아직… 하지만 자신감은 확고.” 현재 삼성은 엔비디아로부터 HBM4 공급 승인을 받지는 못했지만, 기술 완성도와 수율 면에서 긍정적인 평가를 받고 있다. 삼성 내부에서는 “기술적 우위가 이미 확보된 만큼, HBM4 세대에서는 뒤처지지 않을 것”이라는 자신감이 감지된다. 같은 행사에서 SK하이닉스 역시 TSMC와 협력해 개발한 HBM4 모듈을 선보였다. 하이닉스는 이미 HBM3E 시장에서 엔비디아와의 파트너십을 통해 확고한 점유율을 유지하고 있으며, HBM4에서도 빠른 대응 속도를 보이고 있다. “AI 반도체 수요 폭발, 경쟁은 이제부터.” AI 학습과 추론 성능의 핵심 부품으로 자리 잡은 HBM 시장은 그 어느 때보다 치열한 경쟁 구도로 접어들고 있다. 삼성이 수율, 속도, 가격 삼박자를 앞세운 HBM4 전략을 공개함에 따라, 차세대 메모리 시장은 한층 뜨겁게 달아오를 전망이다. 출처: WCCFtech / Muhammad Zuhair ** 해외 외신을 읽기 좋게 재구성, 커뮤니티 빌런 18+에만 업데이트 하였습니다.

반도체 구라파통신원 2025-10-23

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SK하이닉스, 차세대 DDR5 ‘A-Die’ 등장 (신형 AKBD 코드)

SK하이닉스, 차세대 DDR5 ‘A-Die’ 등장 (신형 AKBD 코드) “SK하이닉스, 차세대 DDR5 ‘A-Die’ 포착” 신형 AKBD 코드, 7200MT/s 네이티브 속도로 세대 교체 SK하이닉스 차세대 3Gb DDR5 A-Die 메모리 칩이 확인됐다. 페이스북 Clock’EM UP에 올라온 사진에 따르면, 칩 표면에는 “X021” 마킹과 “AKBD” 부품 코드가 인쇄되어 있다. 업계에서는 이를 2세대 3Gb A-Die, 즉 기존 M-Die를 잇는 새로운 DDR5 세대의 등장을 알리는 신호로 내다봤다. “‘AKBD’ 표기, JEDEC 기준 7200MT/s 속도 암시.” 하이닉스는 그동안 EB, GB, HB 등의 코드로 각각 4800, 5600, 6400MT/s급 메모리를 구분해왔다. ‘KB’는 그 연장선상에서 7200MT/s 네이티브 클럭을 의미하는 것으로 해석된다. 게시물 작성자인 팀그룹(TeamGroup)의 케빈 우(Kevin Wu)도 댓글을 통해 “JEDEC 7200MHz 속도”임을 확인했다. “인텔 차세대 플랫폼과의 로드맵 일치.” 신형 A-Die는 인텔의 애로레이크 리프레시(Arrow Lake Refresh)와 팬서레이크(Panther Lake) CPU 플랫폼과 정확히 맞물린다. 인텔의 공식 ‘Plan of Record’에 따르면, 해당 세대의 CPU는 DDR5-7200을 공식 지원할 예정이다. 이는 기존 랩터레이크의 5600MT/s와 애로레이크의 6400MT/s 대비 한 단계 높은 수치로, 차세대 고클럭 메모리 킷의 기반이 될 것으로 보인다. “8층 PCB 샘플, 한계는 존재하지만 방향은 명확.” 샘플은 8층 PCB 구조를 사용하고 있으며, 일부 사용자는 “고클럭 안정성에서는 불리할 수 있다”고 지적했다. 실제로 8층 기판은 8000MT/s 이상의 고주파 환경에서 신호 무결성과 전력 분배 효율이 떨어지는 경향이 있다. 이 때문에 제조사들은 보통 10층 혹은 12층 PCB를 사용해 신호 경로를 정제하고 고속 구동을 안정화한다. 오버클러커 커뮤니티에서는 이미 12,000MT/s 이상, 일부에서는 13,000MT/s를 공식 돌파한 사례도 등장하고 있다. 따라서 차세대 A-Die ‘AKBD’ 칩이 본격적인 성능을 발휘하기 위해서는, 더 높은 층수의 PCB 설계와 정교한 전원 공급 구조가 병행되어야 한다. “차세대 고클럭 DDR5 시장의 토대.” SK하이닉스는 공식 발표를 내놓지 않았지만, 유출로 차세대 DDR5 제품군의 청사진이 구체화됐다. M-Die를 대체하는 3Gb A-Die, 7200MT/s JEDEC 기본 속도, 향상된 신호 제어 구조 까지의 세 가지 요소는 차세대 인텔 플랫폼뿐 아니라 AMD의 차후 라이젠 프로세서에도 중요한 기반이 될 전망이다. 출처: WCCFtech / Sarfraz Khan ** 해외 외신을 읽기 좋게 재구성, 커뮤니티 빌런 18+에만 업데이트 하였습니다.

컴퓨터 구라파통신원 2025-10-22

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V-Color MANTA OLED XFinity+ 64GB DDR5-8000 CL40 리뷰

V-Color MANTA OLED XFinity+ 64GB DDR5-8000 CL40 리뷰 “세계 최초 ‘OLED DIMM’” V-Color MANTA OLED XFinity+ 64GB DDR5-8000 CL40 리뷰 DDR5가 모든 플랫폼에서 표준으로 자리 잡으면서 고클럭 메모리 경쟁이 가열되고 있다. 가격은 내려가고, 보급 속도는 빨라졌다. 그 와중에 V-Color가 RGB를 넘어 “메모리 모듈에 OLED 디스플레이를 얹는” 실물을 내놨다. 이름은 MANTA OLED XFinity+, 이번에 다룬 구성은 64GB(32GB×2) DDR5-8000 CL40 킷이다. “속도 경쟁에 그치지 않고, 정보 표시로 새로운 개성을 표출” 오버클러커·하이엔드 유저를 겨냥한다. 기본 프로파일은 8000 MT/s(PC5-64000), 타이밍은 40-56-56-128, 동작전압 1.35V. 288핀 언버퍼드 DIMM, 온다이 ECC 설계이며 Intel XMP와 AMD EXPO를 모두 지원한다. “8000MT/s급 세팅·보드 QVL·메모리 컨트롤러 수율을 이해하지 못한다면 쉽게 권하기 어렵다.” 하드웨어 디자인과 OLED. 알루미늄 히트스프레더 위에 상단 ARGB 디퓨저를 더했고, 한 장의 모듈에 소형 OLED 패널을 통합했다. 외부에서 실제로 보이는 슬롯 위치를 고려한 구성으로, 표기 정보는 프로파일(XMP/EXPO), 용량, 속도, 타이밍, 전압, 온도 등이다. 패키지에는 메모리 모듈과 일체감 있는 외형을 위한 ARGB ‘필러’ 모듈(별매)까지 고려했다. 방열판은 두껍고 묵직하며, 고클럭 구동과 OLED에서 발생할 수 있는 미소 발열까지 감안했다. 테스트 환경. 인텔 Core Ultra 9 285K MSI MEG Z890 Unify-X Z890 계열은 고속·CUDIMM 운용 안정성이 강점으로 평가된다. 벤치마크는 AIDA64(대역폭·레이턴시), SuperPi, WinRAR, 그리고 1440p 게임 3종(Battlefield V, Sid Meier’s Civilization VI, DOOM Eternal)을 사용했다. 설명: AIDA64에서 읽기/쓰기/복사 대역폭은 동급 8000MT/s 경쟁 키트와 어깨를 나란히 했고, 레이턴시는 CL40 한계 내에서 상위권에 근접했다. SuperPi·WinRAR에서도 8,000~10,200MT/s급 하이엔드군과 미세한 차이권. “JEDEC 4800 대비 66.6% 높은 전송속도라는 체급 자체가 체감 성능의 바닥을 끌어올린다.” 게임 성능 경향. 1440p 환경에서는 메모리 차이에 따른 FPS 격차가 크지 않다. 주요 타이틀에서 상위권 DDR5 키트들과 1~3FPS 내 박빙이며, 메모리 클럭 상승의 이득은 CPU 바운드 상황에서 더 분명해진다. “고클럭 DDR5는 평균 FPS보다 프레임 일관성과 반응성에서 기여를 체감하는 편이다.” 호환성과 운용 난도. 8000MT/s는 보드 QVL, BIOS 성숙도, CPU IMC 수율이 삼박자로 맞아야 한다. 인텔 Z890급 단일 DIMM A 채널 보드가 유리하고, AMD AM5도 최신 AGESA·메모리 트레이닝이 뒷받침돼야 안정 범위가 넓어진다. “플러그앤플레이 기대치보다는 튜닝 전제를 둬야 하는 영역이다.” 참고로 미국 기준 399.99달러로, 비-OLED 동급 대비 약 20달러 프리미엄. 기능적으로는 상태 표시 이상의 개입은 제한적이지만, 가독성 좋은 실시간 정보와 디자인 차별성이 명확하다. 장점: 8000MT/s 성능과 성숙한 안정성, 두툼한 히트스프레더와 135mm급 쿨링 철학의 연장선, XMP/EXPO 동시 지원, 고급스러운 일체감과 OLED 표시로 완성된 시각 경험. 단점: 극상위 클럭 특성상 세팅 난도가 존재, 플랫폼·개체 수율 의존도가 크며, OLED의 기능성은 아직 정보 표시 수준에 머문다. 결론. “MANTA OLED XFinity+는 ‘빠른 메모리’ 위에 ‘보는 즐거움과 상태 인지’를 얹어 DRAM 디자인을 한 단계 끌어올렸다.” 64GB DDR5-8000 CL40이라는 체급은 이미 충분히 매력적이고, OLED는 튜닝·모니터링과 쇼케이스를 겸하는 신규 가치 제안이다. 하이엔드 메모리를 제대로 다룰 준비가 된 사용자에게, 성능과 미학을 동시에 만족시키는 선택지다. 제품 정보: MANTA OLED XFinity+ / 용량: 32GB×2(64GB) / 속도: 8000 MT/s(PC5-64000) / 타이밍: CL40-56-56-128 / 전압: 1.35V / 규격: 288핀 UDIMM, 온다이 ECC / 프로파일: Intel XMP, AMD EXPO / 방열: 알루미늄 히트스프레더 + 상단 ARGB + 단일 모듈 OLED / 가격: 399.99달러 / 출시: 2025년 10월. 출처: WCCFtech / Hassan Mujtaba ** 해외 외신을 읽기 좋게 재구성, 커뮤니티 빌런 18+에만 업데이트 하였습니다.

메모리/스토리지 구라파통신원 2025-10-21

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