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[컴퓨터] 킹스톤, 8TB 초고속 SSD ‘Fury Renegade G5’ 출시—읽기 14,800MB/s·쓰기 14,000MB/s 달성

킹스톤, 8TB 초고속 SSD ‘Fury Renegade G5’ 출시 읽기 14,800MB/s·쓰기 14,000MB/s 달성 킹스톤(Kingston Fury) 이 PCIe 5.0 기반 ‘Fury Renegade G5 SSD’ 8TB 모델을 공식 출시했다. 최대 14,800MB/s의 순차 읽기 속도, 14,000MB/s의 순차 쓰기 속도를 구현하며, 현재 시장에서 가장 빠른 고용량 게이밍·크리에이터용 SSD 중 하나로 자리 잡았다. Fury Renegade G5 시리즈는 기존 1TB·2TB·4TB 라인업에 이어, 최상위 8TB 버전이 새롭게 추가됐다. PCIe 5.0 x4 인터페이스를 기반으로 한 이 SSD는 실리콘모션(Silicon Motion) SM2508G 컨트롤러와 218단 BiCS8 3D TLC NAND 플래시를 사용한다. 이 조합을 통해 14.8GB/s 읽기, 14GB/s 쓰기 속도라는 초고속 전송 성능을 실현했다. 경쟁 제품과의 비교—“최고 속도 + 최대 용량의 균형” 현재 이와 유사한 수준의 속도를 구현한 제품으로는 Corsair MP700 PRO XT(14,900MB/s), TeamGroup T-Force Z54E 등이 있지만, 대부분 8TB급 고용량 모델은 쓰기 속도가 13,400MB/s 수준에 그친다. 따라서 Fury Renegade G5 8TB는 최대 용량에서 읽기·쓰기 모두 14,000MB/s급을 돌파한 첫 SSD라는 점에서 의미가 크다. 킹스톤 SSD 사업부 매니저 키스 시멘티(Keith Schimmenti) 는 “Fury Renegade G5 8TB 모델은 대용량 데이터를 다루는 전문가와 하드웨어 마니아 모두에게 강력한 성능과 넉넉한 저장 공간을 제공할 것”이라고 말했다. 대규모 게임, 8K 영상 편집, 고해상도 콘텐츠 작업 등 프로페셔널 워크로드에 최적화된 구성을 갖췄다. 현재 8TB 모델의 구체적인 가격과 출시 일정은 공개되지 않았지만, 1TB~4TB 버전 대비 프리미엄 가격대로 책정될 전망이다. 모든 Fury Renegade G5 SSD는 5년 제한 보증이 제공되며, 전력 효율·발열 제어·내구성에서도 PCIe 5.0 SSD 중 높은 평가를 받고 있다.

구라파통신원 2025.11.05

[컴퓨터] AMD, 차세대 RDNA 5 GPU 아키텍처 윤곽 공개 - 50% 더 많은 CU·AI 전용 코어·최대 384비트 메모리 버스 탑재

AMD, 차세대 RDNA 5 GPU 아키텍처 윤곽 공개 50% 더 많은 CU·AI 전용 코어·최대 384비트 메모리 버스 탑재 AMD가 차세대 GPU 아키텍처 RDNA 5(혹은 UDNA) 를 통해 대대적인 변화를 준비하고 있다. 엔비디아의 최상위 GPU를 직접 겨냥하기보다는, 80클래스급 시장에서의 경쟁력 강화와 아키텍처 혁신에 초점을 맞춘 전략적 전환점으로 평가된다. RX 9000 시리즈(RDNA 4)에서 AMD는 엔비디아와의 정면 대결 대신 메인스트림·하이엔드 하위권(엔비디아 60~70급) 시장을 집중 공략했다. 덕분에 RX 9070·9070 XT 모델의 성공으로 이어졌으며, 합리적인 가격과 폭넓은 공급으로 높은 판매량을 기록했다. RDNA 5는 기조를 이어가면서도 성능·효율·AI·RT 기술을 전면적으로 재설계한 세대가 될 예정이다. 최대 50% 더 많은 CU와 384비트 메모리 버스 RDNA 5의 주력 GPU는 RDNA 4의 Navi 48 대비 최대 50% 더 많은 컴퓨트 유닛(CU) 을 탑재하고, 최대 384비트 메모리 버스를 지원할 전망이다. 이는 16GB를 초과하는 VRAM 구성을 염두에 둔 설계로, GDDR7 메모리 아키텍처가 함께 적용된다. AMD는 기존의 모놀리식(Monolithic) 구조에서 벗어나, 칩렛(Chiplet) 기반 설계를 도입할 가능성이 높다. 설계 변화로 각 CU는 128코어(기존 대비 2배) 로 확장되며, RDNA 5는 사실상 완전한 세대 교체에 해당한다. ◆ RDNA 5 예상 구성표 구분 코어(Compute Units (CUs)) 메모리 메모리 플래그십 96 (12,288 코어) 512~384비트 24~32GB 미드레인지 40 (5,120 코어) 384~192비트 12~24GB 메인스트림 24 (3,072 코어) 256~128비트 8~16GB 엔트리 12 (1,536 코어) 128~64비트 8~16GB RDNA 5의 핵심은 GPU에 세 가지 신규 연산 블록을 추가해, AI와 실시간 레이트레이싱 성능을 크게 끌어올린다는 부분에 있다. Neural Arrays: 여러 컴퓨트 유닛이 AI 엔진처럼 동작해, 신경망 렌더링 및 업스케일링 효율을 극대화. Radiance Cores: 새로운 광선 추적(ray tracing) 전용 하드웨어로, 실시간 패스 트레이싱 성능 대폭 강화. Universal Compression: GPU가 메모리 대역폭을 동적으로 압축·최적화하여 효율적인 데이터 처리 실현. AMD는 RDNA 5 아키텍처를 세 가지 코드명으로 구분했다. 모두 트랜스포머(Transformers) 시리즈에서 이름을 따온 것이다. Alpha Trion: 일반 소비자용 라데온(Radeon) GPU 라인업 Ultra Magnus: Xbox 차세대 SoC용 GPU Orion Pax: PlayStation 차세대 칩셋용 GPU RDNA 5는 2026년 2분기 양산, 하반기 출시가 예상된다. CES 2026 또는 컴퓨텍스(Computex) 2026에서 초기 시연이 이뤄질 가능성이 크다. 가격은 아직 구체적 정보가 없지만, RX 7900 XTX(999달러)를 기준으로 볼 때, 플래그십 모델의 가격은 1,000~1,500달러 사이로 예상된다. 이는 엔비디아의 80클래스 GPU와 직접 경쟁하는 포지션이 될 전망이다. RDNA 5는AMD가 AI·RT·칩렛 구조를 모두 통합한 첫 그래픽 아키텍처로 AMD가 GPU 시장에서 기술적 독립성과 세대 리더십을 회복할 수 있을지의 시험대가 될 것이다.

구라파통신원 2025.11.05

[전자부품] 아이피타임, 45W PD 3.0 PPS 지원 GaN 고속 충전기 UP451plus·UP452plus 출시

대장 2025.11.04

[보안] 아이피타임, AC1300급 천장형 무선 AP ‘Ring-GIGA3’ 출시

아이피타임이 AC1300급 802.11ac 기가비트 듀얼밴드 무선 AP ‘Ring-GIGA3’를 출시했다. 미디어텍 1GHz CPU와 128MB DRAM을 탑재하고, 5GHz 867Mbps·2.4GHz 400Mbps 무선 속도를 지원한다. MU-MIMO·빔포밍 기술, PoE 전원 공급, Easy Mesh 기능을 갖춘 천장형 AP로, 깔끔한 디자인과 간편한 설치성을 동시에 제공한다. 유무선 공유기 전문 제조사 이에프엠네트웍스는 AC1300급 802.11ac 기가비트 듀얼밴드 무선 AP ‘아이피타임(ipTIME) Ring-GIGA3’를 출시했다고 밝혔다. Ring-GIGA3는 미디어텍 1GHz 고속 CPU와 128MB DRAM을 탑재했으며, PoE를 지원하는 1Gbps 유선 포트를 갖춘 천장형 무선 AP다. 전작인 Ring-GIGA2와 동일한 하드웨어 성능을 유지하면서 전면 램프 위치와 라인 구성을 단순화해, 아이피타임 특유의 미니멀하고 세련된 디자인으로 새롭게 선보였다. 802.11ac 표준 방식을 채택한 Ring-GIGA3는 5GHz 대역에서 최대 867Mbps(2Tx-2Rx), 2.4GHz 대역에서 400Mbps(2Tx-2Rx)의 무선 링크 속도를 지원한다. MU-MIMO 통신 기술과 빔포밍(Beamforming) 기술이 적용되어, 다수의 사용자가 동시에 연결된 환경에서도 안정적이고 효율적인 무선 성능을 제공한다. 장착된 기가비트 유선 포트는 LAN 또는 WAN으로 설정할 수 있는 멀티 포트 구조를 갖췄다. 기본 설정은 LAN이며, 무선 AP를 공유기 하단에 연결해 사용하는 일반적인 환경에서는 LAN 모드로 두면 된다. 반면 통신사 모뎀에 직접 연결해 독립형 공유기로 사용할 경우에는 포트를 WAN으로 전환하면 된다. Ring-GIGA3는 Easy Mesh 기능의 풀 버전을 지원한다. 컨트롤러 모드로 작동해 새로운 메시 네트워크를 구축할 수 있으며, 기존 네트워크 환경에서는 에이전트로 연결해 무선 범위를 확장할 수도 있다. 또한 PoE(Power over Ethernet, 802.3at/af) 기능을 지원해 PoE 스위칭 허브나 인젝터를 통해 전원을 공급받을 수 있다. PoE는 UTP 케이블을 통해 전력과 데이터를 동시에 전송하므로 별도의 전원선이나 어댑터 없이 간편하게 설치할 수 있다. PoE를 지원하지 않는 환경에서는 12V 1A 또는 48V 0.5A DC 어댑터로 구동할 수도 있다. 아이피타임 관계자는 “Ring-GIGA3는 성능과 설치 편의성을 모두 고려한 실용적인 천장형 무선 AP”라며 “기업, 매장, 사무실 등 다양한 환경에서 손쉽게 안정적인 무선 네트워크를 구축할 수 있을 것”이라고 말했다.

대장 2025.11.04

[컴퓨터] 마이크로닉스, ‘클래식 II 풀체인지 실버 ATX 3.1’ Cybenetics 인증 획득

마이크로닉스의 전원공급장치 ‘클래식 II 풀체인지 80PLUS 실버 ATX 3.1’ 시리즈가 Cybenetics로부터 ETA 실버 효율 인증과 LAMBDA 소음 인증을 획득했다. 이번 인증으로 고출력 환경에서도 높은 효율과 정숙성을 공식 입증받았으며, ATX 3.1 및 PCIe 5.1(12V-2x6) 규격을 지원해 최신 그래픽카드와 시스템 환경에 최적화된 파워서플라이로 평가받았다. 게이밍 기기 디자인·개발·제조 전문기업 마이크로닉스는 자사 전원공급장치 ‘클래식 II 풀체인지 80PLUS 실버 ATX 3.1(이하 클래식 II 풀체인지 실버 ATX 3.1 시리즈)’가 Cybenetics의 ETA 및 LAMBDA 인증을 획득했다고 밝혔다. 마이크로닉스 클래식 II 풀체인지 실버 ATX 3.1 시리즈는 ETA 실버 전력 효율 인증과 LAMBDA 소음 인증을 동시에 획득하며 효율성과 정숙성을 모두 입증했다. 이로써 본 제품은 고출력 환경에서도 높은 전력 효율과 안정적인 작동, 그리고 저소음을 유지하는 고품질 파워서플라이로 공식 인정받았다. 소음 부문에서는 500W 모델이 LAMBDA A- 등급을 획득했다. 이는 평균 팬 소음이 25dB(A) 미만일 때 부여되는 등급으로, 마이크로닉스의 세밀한 냉각 설계와 고품질 부품 구성이 제품 완성도를 입증했다. 클래식 II 풀체인지 실버 ATX 3.1 시리즈는 마이크로닉스의 대표 라인업인 클래식 II 시리즈의 확장 모델이다. 기존 브론즈 등급에서 한 단계 향상된 80PLUS 실버 효율을 달성했으며, ATX 3.1 및 PCIe 5.1(12V-2x6) 규격을 지원해 최신 그래픽카드와 하이엔드 시스템 환경에 완벽히 대응한다. 700W와 800W 모델에는 최신 그래픽카드를 위한 PCIe 5.1(12V-2x6) 커넥터가 기본 적용됐다. 그린 투톤 디자인으로 체결 상태를 직관적으로 확인할 수 있으며, 105℃ 내열 소재와 16AWG 프리미엄 케이블을 사용해 안정성과 내구성을 강화했다. 전력 품질을 위한 핵심 기술도 다수 탑재됐다. 2세대 GPU-VR 회로와 DC to DC 변환 설계, 그리고 전원 차단 후 일정 시간 팬을 구동해 잔열을 제거하는 마이크로닉스 특허 ‘애프터쿨링(After Cooling)’ 기술이 적용됐다. 이러한 기술들은 고부하 환경에서도 전압 강하 없이 안정적인 출력을 유지하고, 내부 부품의 수명을 연장시킨다. 냉각 및 내구성 부문 역시 개선됐다. 120mm HDB 팬은 풍량과 소음의 균형을 최적화했으며, 105℃ 프리미엄 캐퍼시터와 8중 보호 회로(NLO, SIP, OVP, UVP, OPP, OTP, OCP, SCP)를 탑재해 시스템을 안전하게 보호한다. 제품은 무상 7년 보증 서비스가 제공된다.

대장 2025.11.04

[컴퓨터] 대원씨티에스, 마이크론 크루셜 DDR5 Pro OC 6400 CL32 게이밍 메모리 출시

대원씨티에스가 마이크론 컨슈머 브랜드 크루셜(Crucial)의 고성능 게이밍 메모리 ‘Crucial DDR5 Pro Overclocking(OC) 6400 CL32’를 국내에 출시했다. 6400MT/s 전송 속도와 CL32 저지연 설계로 높은 반응성과 안정성을 제공하며, Intel XMP 3.0과 AMD EXPO를 모두 지원해 최신 인텔·AMD 플랫폼과 완벽 호환된다. IT 기기 수입·유통 전문 기업 대원씨티에스는 마이크론(Micron)의 컨슈머 메모리 브랜드 크루셜(Crucial) 신제품 ‘Crucial DDR5 Pro Overclocking(OC) 6400 CL32 게이밍 메모리’를 국내 시장에 정식 출시했다고 밝혔다. 신제품은 16GB 모듈 2개로 구성된 32GB KIT 제품으로, 6400MT/s 전송 속도와 CL32(실효 지연 10ns) 기반의 저지연 설계를 통해 하이엔드 게이밍과 크리에이티브 워크로드에서 탁월한 반응성과 처리 성능을 제공한다. 외형은 카무플라주 모티프의 히트스프레더를 적용했으며, 스텔스 매트 블랙과 스노우 폭스 화이트 두 가지 컬러로 출시된다. 다이아몬드 컷 로고와 Crucial Pro 스파인 브랜딩으로 디자인 완성도를 높였으며, 기본 장착된 방열판이 장시간 고부하 환경에서도 안정적인 성능을 유지하도록 돕는다. 플랫폼 호환성도 대폭 강화됐다. Intel XMP 3.0과 AMD EXPO 프로파일을 모두 지원해, UEFI/BIOS에서 간단한 설정만으로 정격 속도에 도달할 수 있다. Intel Core 13·14세대, Core Ultra(시리즈 2), AMD Ryzen 9000 시리즈 등 최신 DDR5 기반 플랫폼과 폭넓게 호환된다. DDR5 세대의 구조적 장점도 돋보인다. DDR4 대비 전송률과 대역폭이 향상되어 다중 애플리케이션 실행 시 전체 처리량이 증가하며, 듀얼 32비트 채널 구조는 기존 단일 64비트 채널보다 병렬 처리 효율이 높다. 온다이 ECC(On-Die Error Correction)는 단발성 비트 오류를 실시간으로 보정해 장시간 작업의 안정성을 강화하며, 1.1V 저전력 설계와 PMIC 전력 관리로 발열과 소비 전력을 낮춰 안정적인 동작을 유지한다. 게이밍 환경에서는 저지연·고속 특성이 두드러진다. 6400MT/s CL32는 6000MT/s CL48 대비 실효 지연 시간이 약 37% 짧아 입력 반응성과 프레임 타임 안정성이 개선됐다. 내부 테스트 결과, Crucial DDR5-5600 대비 평균 FPS가 최대 25% 향상되는 사례가 확인됐다. 대원씨티에스 남혁민 본부장은 “Crucial DDR5 Pro OC 6400 CL32는 속도, 안정성, 디자인 모두를 고려한 하이엔드 메모리”라며 “XMP·EXPO 기반의 안정적인 오버클럭 성능과 최신 플랫폼 호환성으로 게이머와 크리에이터의 체감 성능을 한 단계 높여줄 것”이라고 말했다. 한편, 마이크론 크루셜은 메모리·스토리지 전문기업 마이크론의 컨슈머 브랜드로, 40년 이상의 반도체 설계 및 제조 경험을 바탕으로 고품질·고내구성 제품을 지속적으로 선보이고 있다.

대장 2025.11.04

[컴퓨터] 애플 ‘치즈 그레이터’ 맥 프로 닮은 미니PC, ORICO ‘Omini Pro’ 공개

애플 ‘치즈 그레이터’ 맥 프로 닮은 미니PC, ORICO ‘Omini Pro’ 공개 AMD 라이젠 7 8845HS 탑재 중국 제조사 ORICO(오리코) 가 애플의 2019년형 맥 프로(Mac Pro) 디자인을 연상시키는 미니PC ‘Omini Pro’를 발표했다. 은색 알루미늄 바디와 촘촘한 전면 통풍구, 상단 손잡이 디자인까지 그대로 계승했지만, 내부에는 AMD 라이젠 7 8845HS가 탑재됐다. 맥 프로 디자인 재해석, 알루미늄 유니바디 구조 Omini Pro는 맥 프로의 상징적 디자인이었던 ‘치즈 그레이터(Cheese-Grater)’ 스타일의 전면 패턴을 거의 그대로 재현했다. 알루미늄 합금과 CNC 가공, 미세 샌드블라스팅, 양극 산화(Anodizing) 마감으로 제작된 섀시는 ORICO 로고만 다를 뿐 애플의 디자인 언어와 매우 흡사하다. 제품 크기는 139×61×185mm로, 손바닥 위에 올릴 수 있을 만큼 컴팩트하다. Zen 4 기반 8코어 APU 탑재, 내장 그래픽은 라데온 780M. 내부에는 AMD의 Zen 4 아키텍처 기반 라이젠 7 8845HS 프로세서가 탑재됐다. 8코어 16스레드 구성에, 기본 클럭 3.8GHz·부스트 클럭 5.1GHz로 동작하며, RDNA 3 기반 라데온 780M iGPU가 내장돼 있다. 고사양 AAA 게임에는 다소 부족하지만, 중간 그래픽 설정 수준의 게이밍이나 멀티미디어 작업에는 충분한 성능을 제공한다. 연결성과 전력 효율 모두 강화 Omini Pro는 Wi-Fi 6, 블루투스 5.2, 듀얼 2.5GbE LAN 포트를 갖췄으며, 듀얼 USB4 Type-C 포트로 고대역폭 주변기기 연결도 지원한다. 전원은 120W GaN(질화 갈륨) 어댑터로 공급되며, 내부 발열을 최소화하면서 안정적인 전력 효율을 제공한다. 제품은 기본형 P1, P1-AD32G-1T(32GB RAM·1TB SSD), P1-AD32G-2T(32GB RAM·2TB SSD)의 세 가지 구성으로 판매된다. 기본 베어본 모델의 정가가 3,899위안(약 547달러)이지만, 사전 판매 한정으로 2,699위안(약 379달러)에 제공된다. 11월 30일부터 공식 판매가 시작되며, 오늘부터 예약 주문이 가능하다. Omini Pro는 ‘맥 프로 디자인을 닮은 미니 데스크톱’을 찾는 사용자들에게 매력적인 대안이 될 전망이다.

구라파통신원 2025.11.04

[컴퓨터] 기가바이트, Z890 AORUS 타키온 오버클록 세계 기록 13,034MT/s 돌파

기가바이트, Z890 AORUS 타키온 ICE로 DDR5 오버클록 세계 기록 13,034MT/s 돌파 기가바이트(Gigabyte)가 자사 오버클러커 하이쿠키(HiCookie) 와 함께 다시 한 번 DDR5 메모리 오버클록 세계 기록을 갱신했다. 기록은 Z890 AORUS Tachyon ICE 메인보드에서 달성된 것으로, DDR5 메모리 전송 속도는 13,034MT/s에 도달했다. Z890 AORUS Tachyon ICE, DDR5 기록 랭킹 상위 3위 석권 기가바이트는 이미 DDR5 오버클록 분야에서 절대 강자로 자리 잡았다. 현재까지 발표된 세계 기록 중 상위 3개 모두가 기가바이트의 Z890 AORUS Tachyon ICE 메인보드에서 수립된 것이다. 지난달 DDR5 메모리 속도로 13,000MT/s 벽을 처음 돌파했으며, 이번 기록은 그 한계를 한 단계 더 끌어올린 사례다. 테스트 구성 및 결과 테스트는 인텔 Core Ultra 9 285K 프로세서를 사용했으며, 효율 코어(E-Cores)는 비활성화 상태로 진행됐다. 메모리는 ADATA XPG Lancer RGB DDR5 24GB 단일 모듈을 사용했고, CPU와 메모리 모두 액체질소(LN2) 냉각을 적용했다. 결과적으로 메모리는 6517.4MHz(실클럭) 로 오버클록되어, 유효 속도 13,034MT/s를 달성했다. CAS 타이밍은 68-127-127-127-2로 설정됐으며, 이는 모듈의 기본 스펙인 DDR5-6400 대비 2배, JEDEC 표준 DDR5-4800 대비 약 2.7배 빠른 속도다. “DDR5의 잠재력은 아직 끝나지 않았다” 하이쿠키는 기록 달성 후 “ADATA의 고품질 메모리와 인텔 Core Ultra 285K의 뛰어난 메모리 컨트롤러 덕분에 DDR5의 한계를 넘어섰다”며 “Z890 AORUS 타키온 ICE 메인보드와의 조합이 이번 성과를 가능하게 했다”고 소감을 전했다. 기록은 실사용 환경에서 직접적인 이점을 주는 것은 아니지만, 현재 DDR5 규격이 가진 극한의 오버클록 잠재력을 보여주는 사례로 평가된다. 업계는 향후 DDR6 세대의 기본 속도가 약 10,000MT/s 수준에서 시작될 것으로 예상하지만, 플랫폼 성숙도와 기술 발전을 감안하면 차세대 세대에서는 20,000MT/s 이상의 메모리 속도도 가능할 것으로 보고 있다. 성과는 차세대 메모리 플랫폼에서도 기가바이트가 오버클러킹 분야의 기준점을 이어갈 것임을 암시한다.

구라파통신원 2025.11.04

[모바일] 갤럭시 S26 울트라, 노트 시리즈의 마지막 흔적 버린다

갤럭시 S26 울트라, 노트 시리즈의 마지막 흔적 버린다 ‘각진 디자인’ 대신 아이폰식 둥근 모서리 채택 삼성이 차세대 플래그십 갤럭시 S26 울트라(Galaxy S26 Ultra) 에서 노트 시리즈의 상징이었던 각진 디자인을 완전히 폐기하고, 아이폰과 유사한 둥근 모서리(round corner) 를 채택한 것으로 확인됐다. 유명 IT 팁스터 아이스유니버스(Ice Universe) 는 최근 SNS를 통해 갤럭시 S26 시리즈용 스크린 프로텍터 이미지를 공개했다. 이 중 S26 울트라 모델의 보호필름은 분명히 둥근 모서리 형태를 띠고 있으며, 기존 노트 시리즈의 ‘박스형 외관’을 벗어난 것이 확인된다. 전체적으로 아이폰의 디자인 언어에 더 가까운 부드러운 프로파일이다. 이는 삼성이 ‘노트 DNA’를 단계적으로 정리하고 있다는 신호로 해석된다. 갤럭시 S22 울트라부터 노트 시리즈의 디자인과 S펜을 흡수했지만, 이번 S26 울트라에서는 각진 프레임을 버리면서 사실상 노트 시리즈의 마지막 흔적까지 사라지는 셈이다. 업계에서는 “이제 남은 건 S펜 제거뿐”이라는 평가도 나온다. 삼성은 2026년 2월 25일 샌프란시스코에서 차기 ‘갤럭시 언팩(Galaxy Unpacked)’ 행사를 개최할 예정이다. 이번 언팩의 핵심 주제는 ‘AI’ 로, 2023년 갤럭시 S23 공개 이후 3년 만에 다시 미국 현지에서 대규모 오프라인 행사를 열게 된다. 삼성은 예년과 달리 1월이 아닌 2월 말 언팩 일정을 잡았는데, 이는 새로운 디자인과 AI 기능 중심의 마케팅 전략에 맞춘 선택으로 보인다. 갤럭시 S26 시리즈 주요 변화 요약 듀얼 칩 전략 부활: 삼성은 약 50%의 갤럭시 S26 모델에 엑시노스 2600(Exynos 2600) 을 탑재할 계획이며, 한국·유럽 시장에 우선 적용될 전망이다. 반면 미국·일본·중국 모델은 퀄컴 스냅드래곤 8 엘리트 Gen 5 칩셋을 사용한다. 새로운 카메라 시스템: 루머에 따르면 갤럭시 S26 울트라에는 가변 조리개(variable aperture) 기술이 적용될 가능성이 있으며, 1/1.1인치 2억 화소(200MP) 소니 센서와 F1.4 조리개가 탑재될 것으로 보인다. 기본형 S26은 새로운 5,000만 화소 메인 카메라 센서를 적용할 예정이다. 갤럭시 S26 울트라는 ‘노트’의 직계 후속이 아닌, AI 중심의 새로운 디자인 아이덴티티를 가진 S 울트라 라인업의 완전한 독립 모델로 자리매김할 전망이다.

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[컴퓨터] SK하이닉스, 2029~2031 차세대 메모리 로드맵 공개

SK하이닉스, 2029~2031 차세대 메모리 로드맵 공개 HBM5·DDR6·GDDR7-Next·400단 이상 4D 낸드 예고 SK하이닉스가 SK AI Summit 2025에서 2029~2031년을 겨냥한 차세대 메모리 로드맵을 공개했다. 로드맵에는 HBM5/HBM5E, GDDR7-Next, DDR6, 그리고 400층 이상 4D NAND가 포함돼 있으며, 차세대 AI 인프라와 고성능 컴퓨팅 수요에 대응하기 위한 구체적인 전략이 제시됐다. 2026~2028: HBM4·HBM4E와 맞춤형 HBM(Custom HBM) 하이닉스는 2026~2028년 사이 HBM4 16-Hi, HBM4E 8/12/16-Hi 제품군을 순차적으로 선보일 계획이다. 여기에 GPU·ASIC용 맞춤형(Custom) HBM 솔루션도 병행 개발 중이다. 커스텀 HBM은 HBM 컨트롤러 및 프로토콜 IP를 베이스 다이(Base Die) 로 이전해, GPU와 AI 가속기의 연산 칩 면적을 확장하고 인터페이스 전력 소비를 줄이는 구조를 채택한다. SK하이닉스는 솔루션의 베이스 다이와 공정 최적화를 위해 TSMC와 협력 중이다. 동 시기에는 또 다른 주요 DRAM 라인업으로 LPDDR6, LPDDR5X SOCAMM2, LPDDR5R, MRDIMM Gen2, CXL LPDDR6-PIM(2세대) 등 AI 중심의 DRAM 제품군이 포함된다. NAND 부문에서는 PCIe Gen5 eSSD(최대 245TB QLC), PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0, 그리고 AI 연산에 특화된 AI-N NAND 솔루션이 개발된다. 2029~2031: HBM5·HBM5E와 DDR6, 그리고 GDDR7-Next 다음 단계인 2029~2031년 구간에는 HBM5와 HBM5E, 그리고 커스텀 HBM5 솔루션이 로드맵에 포함돼 있다. 그래픽 메모리에서는 GDDR7-Next가 새롭게 등장하며, 이는 현재의 GDDR7(최대 48Gbps)을 뛰어넘는 후속 규격이다. GDDR7의 최대 속도를 완전히 활용하는 데 2027~2028년까지 걸릴 것으로 예상되며, 하이닉스는 그 이후 차세대 표준으로 GDDR7-Next를 투입할 계획이다. 메인스트림 DRAM 시장에서는 DDR6이 같은 시기에 본격화된다. 이는 기존 DDR5 이후 데스크톱·노트북 PC에 적용될 차세대 규격으로, 업계 전반의 도입은 2030년 전후가 될 전망이다. NAND: 400층 이상 4D NAND 및 High-Bandwidth Flash(HBF) NAND 분야에서는 400단 이상 적층의 4D NAND와 함께 HBF(High-Bandwidth Flash) 기술이 주력으로 개발된다. HBF는 AI 추론(inference) 환경에서 높은 대역폭과 효율을 제공하도록 설계된 차세대 낸드 구조로, 향후 AI PC 및 고성능 SSD에서 핵심 역할을 담당할 것으로 기대된다. SK하이닉스는 로드맵에서 Full Stack AI Memory 전략을 제시했다. 기존 범용 메모리 중심 구조에서 벗어나, AI 최적화 DRAM(AI-D) 과 AI용 NAND(AI-N) 로 제품군을 세분화해 AI 연산 효율을 극대화한다는 계획이다. AI-D O(Optimization): 저전력·고성능 메모리로 TCO(총소유비용) 절감 및 효율성 향상 AI-D B(Breakthrough): 초대용량·유연한 메모리 할당으로 메모리 병목(Memory Wall) 극복 AI-D E(Expansion): 로보틱스, 자율주행, 산업 자동화 등으로 메모리 활용 영역 확장 SK하이닉스는 “AI 시대에는 컴퓨팅보다 메모리 효율이 핵심 경쟁력으로 작용할 것”이라며, HBM·AI-DRAM·AI-NAND로 이어지는 통합 메모리 생태계 구축에 집중하겠다고 밝혔다. 이는 하이닉스가 단순 메모리 제조사를 넘어 AI 인프라 최적화 기업으로의 전환을 선언한 전략적 신호로 해석된다. 출처: WCCFtech

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