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[이용가이드] 서비스 이용약관
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“삼성 갤럭시 S25 FE, 더 커진 베이퍼 챔버도 열 제어 실패” 초기 펌웨어 테스트서 S24 FE 대비 스로틀링 확인 삼성전자 중급 플래그십 갤럭시 S25 FE가 기대 이하의 발열 제어 성능을 보였다. 안드로이드 오소리티(Android Authority)의 초기 펌웨어 기반 테스트 결과에 따르면, S25 FE는 전작인 갤럭시 S24 FE와 동일한 GPU를 탑재했음에도 불구하고 훨씬 빠르게 과열되고, 성능 저하(스로틀링) 현상이 빈번하게 발생하는 것으로 나타났다. “같은 칩, 같은 GPU, 그러나 더 뜨거운 스마트폰.” 갤럭시 S25 FE에는 엑시노스 2400(Exynos 2400) 칩셋이, S24 FE에는 그 변형 모델인 엑시노스 2400e가 탑재되어 있다. 두 제품 모두 구조적으로 동일한 4nm 공정 기반 칩이며, CPU 구성 역시 거의 동일하다. 각각 4개의 Cortex-A520(1.95GHz), 3개의 Cortex-A720(2.60GHz), 2개의 Cortex-A720(2.90GHz), 그리고 1개의 Cortex-X4가 포함되어 있으며, S25 FE만이 약간 더 높은 3.21GHz로 클럭이 설정돼 있다. GPU는 동일한 Xclipse 940, 클럭 속도 1,095MHz다. 그러나 S25 FE는 이론적으로 더 커진 베이퍼 챔버(vapor chamber)를 탑재했음에도 불구하고, 발열 억제 성능에서 오히려 후퇴했다. 테스트 결과, S25 FE는 GPU 부하 시 최대 성능의 59~66% 수준만 유지한 반면, 전작 S24 FE는 71~72%의 안정성을 보여줬다. “더 큰 냉각 구조가 오히려 성능 저하를 초래한 이유는 무엇일까.” 비정상적인 결과에 대해 관련 업계는 두 가지 가능성을 제시했다. 하나는 초기 펌웨어 최적화 부족이다. 삼성은 FE 라인업 초기 버전에서 종종 발열 관리와 클럭 제어 알고리즘이 완전히 정돈되지 않은 상태로 출시한 전례가 있다. 향후 소프트웨어 업데이트로 개선될 여지가 있다. 다른 하나는 베이퍼 챔버의 냉각 효율 자체가 제대로 작동하지 않았을 가능성이다. 물리적 구조나 내부 냉매 순환 문제로 인해, 설계 의도대로 열을 분산시키지 못했을 수 있다. 현재까지의 테스트는 펌웨어 버전에 따라 변동될 여지가 있지만, 이번 결과는 FE 시리즈의 설계 방향에 대한 의문을 남긴다. “더 큰 냉각 장치를 넣고도 안정성을 잃었다면, 그건 밸실패일 수 있다.” 삼성은 앞으로 추가 업데이트를 통해 발열 제어와 성능 유지력 개선을 시도할 것으로 보인다. 그러나 초기 결과만 놓고 보면, 갤럭시 S25 FE의 ‘효율적인 쿨링 구조’라는 홍보 문구는 의구심을 남긴다. 출처: WCCFtech / Rohail Saleem
2025.10.21
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