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[컴퓨터] 하이닉스, 인디애나주에 첫 미국 첨단 패키징 공장 착공한 것으로 알려져

삼성전자가 텍사스 테일러 공장에서 2나노 양산 확대를 가속화하는 가운데, SK하이닉스 역시 미국 내 첨단 패키징 역량 강화에 속도를 내고 있습니다. 헤럴드경제에 따르면, SK하이닉스는 2024년 투자 계획을 발표한 지 약 2년 만에 미국 내 첫 반도체 공장인 인디애나 팹 착공에 공식적으로 돌입하며 중요한 이정표를 세웠습니다. 특히 해당 시설은 2028년 하반기 본격 가동을 목표로 하며, HBM을 포함한 차세대 AI 메모리 제품의 대량 생산에 주력할 예정인 것으로 전해졌습니다. 로드맵에 따르면, HBM4E와 HBM5로 불리는 7세대 및 8세대 HBM이 해당 공장의 핵심 생산 제품이 될 것으로 예상됩니다. 보도에 인용된 업계 관계자에 따르면, SK하이닉스는 지난 17일 현지 커뮤니티에 기초 공사에 해당하는 파일 항타 작업을 시작했다고 알렸습니다. 이는 본격적인 건축 공사에 앞서 지반에 파일을 박는 작업을 의미합니다. 해당 작업은 수개월간 이어질 것으로 예상되며, 이르면 2026년 하반기부터 지상 구조물 공사가 진행될 것으로 업계는 보고 있습니다. 인디애나에서 약 38억 7천만 달러(약 5조 2천억 원)를 투자해 AI 메모리 중심의 첨단 패키징 거점을 구축하는 한편, SK하이닉스는 국내 생산 역량 확대에도 박차를 가하고 있습니다. 헤럴드경제에 따르면, 회사는 충청북도 청주에 약 19조 원을 투자해 차세대 첨단 패키징 공장(P&T7)을 건설 중입니다. 청주 공장은 급증하는 HBM 수요에 대응하기 위해 설계되었으며, 2027년 말 완공을 목표로 하고 있습니다.

따노스 2026.04.22

[반도체] TSMC 1분기 실적 발표: 2nm 양산 준비 완료 및 3nm 공정 가동률 극대화

세계 최대 파운드리 업체인 TSMC는 2026년 4월 16일 열린 1분기 실적 발표 컨퍼런스 콜을 통해 기록적인 경영 성과와 함께 향후 기술 로드맵에 대한 중대한 정보를 공개했습니다. TSMC의 C.C. Wei 회장은 대만을 최첨단 공정 생산의 중심 기지로 유지할 것임을 재확인하며, 2026년부터 2nm(N2) 공정의 본격적인 대량 생산(Mass Production) 체제에 돌입한다고 발표했습니다. TSMC의 2026년 1분기 순이익은 5,724억 8,000만 대만달러(약 180억 6,000만 미국 달러)를 기록하며 역대 최고치를 경신했습니다. 이는 전년 동기 대비 가파른 성장세이며, 2분기 매출 가이드라인 역시 390억~420억 미국 달러로 제시되어 시장의 기대를 상회했습니다. 이러한 성장의 핵심 동력은 AI 가속기와 고성능 컴퓨팅(HPC) 수요의 폭발적인 증가입니다. 기술적 측면에서 3nm(N3) 공정의 수율과 마진은 이미 전사 평균을 넘어섰으며, 애플과 엔비디아 등 주요 고객사들의 차세대 칩 생산을 위해 가동률을 최대치로 끌어올리고 있습니다. 특히 2nm 공정은 이전 세대 대비 동일 전력에서 10~15%의 성능 향상, 혹은 동일 성능에서 25~30%의 전력 소모 감소를 목표로 하고 있으며, 나노시트(Nanosheet) 트랜지스터 구조를 통해 물리적 한계를 극복했습니다. 또한 TSMC는 차세대 AI 반도체 시장을 겨냥하여 삼성의 독주를 견제하기 위한 새로운 LPU(Language Processing Unit) 수주 경쟁에도 박차를 가하고 있음을 시사했습니다. 2nm 공정의 제품은 이르면 2026년 하반기부터 실제 소비자용 하드웨어에 탑재될 예정입니다.

따노스 2026.04.17

[반도체] 삼성전자, 세계 최초 업계 최고 성능의 HBM4 양산 출하

삼성전자가 세계 최초로 업계 최고 성능의 HBM4를 양산 출하하며, 본격적인 HBM4 시장 선점에 나섰다. 삼성전자는 HBM4 개발 착수 단계부터 JEDEC 기준을 상회하는 성능 목표를 설정하고 개발을 추진해왔으며, 이번 제품에는 최선단 공정 1c D램(10나노급 6세대)을 선제적으로 도입해 재설계 없이 양산 초기부터 안정적인 수율과 업계 최고 수준의 성능을 확보했다. * JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council): 반도체 표준을 제정하는 국제 산업 표준 기구 삼성전자 메모리개발담당 황상준 부사장은 “삼성전자 HBM4는 기존에 검증된 공정을 적용하던 전례를 깨고 1c D램 및 Foundry 4나노와 같은 최선단 공정을 적용했다”며, “공정 경쟁력과 설계 개선을 통해 성능 확장을 위한 여력을 충분히 확보함으로써, 고객의 성능 상향 요구를 적기에 충족할 수 있었다”고 말했다. 11.7Gbps 데이터 처리 성능 안정적 확보…최대 13Gbps까지 구현 삼성전자는 HBM4 기술 경쟁력 강화를 위해 1c D램을 적용하는 한편, 베이스 다이의 특성을 고려해 성능과 전력 효율 측면에서 유리한 4나노 공정을 적용했다. * 베이스 다이: HBM 적층 구조의 가장 아래에 위치해 전력·신호를 제어하는 기반 칩 그 결과 삼성전자 HBM4는 JEDEC 업계 표준인 8Gbps를 약 46% 상회하는 11.7Gbps의 동작 속도를 안정적으로 확보하며, HBM4 성능의 새로운 기준을 제시했다. 이는 전작 HBM3E의 최대 핀 속도인 9.6Gbps 대비 약 1.22배 향상된 수치이며 최대 13Gbps까지 구현이 가능해 AI 모델 규모가 커질수록 심화되는 데이터 병목을 효과적으로 해소할 것으로 기대된다. 삼성전자의 HBM4는 단일 스택 기준 총 메모리 대역폭을 전작 HBM3E 대비 약 2.7배 향상된 최대 3.3TB/s 수준으로 끌어올려, 고객사 요구 수준인 3.0TB/s를 상회하는 성능을 확보했다. 삼성전자의 HBM4는 12단 적층 기술을 통해 24GB~36GB의 용량을 제공하며, 고객사의 제품 일정에 맞춰 16단 적층 기술을 적용해 최대 48GB까지 용량을 확장할 계획이다. * HBM4 단일 다이 용량 24Gb(기가비트) = 3GB(기가바이트) * HBM4 8단 용량: 24GB (3GB D램 x 8) * HBM4 12단 용량: 36GB (3GB D램 x 12) * HBM4 16단 용량: 48GB (3GB D램 x 16) 코어 다이 저전력 설계·전력 분배 최적화…전력효율·발열 개선 삼성전자는 데이터 전송 I/O(Input/Output) 핀 수가 1,024개에서 2,048개로 확대됨에 따라 발생하는 전력 소모와 열 집중 문제를 해결하기 위해, 코어 다이에 저전력 설계 기술을 적용했다. * 데이터 전송 I/O(Input/Output): 메모리와 GPU 사이에서 데이터를 주고받는 출입구 * 코어 다이: HBM을 구성하는 핵심인 D램을 수직으로 적층한 다이(Die). HBM은 D램으로 구성된 코어 다이와 컨트롤러 역할을 하는 베이스 다이로 구성됨 또한 TSV 데이터 송수신 저전압 설계 기술 적용과 전력 분배 네트워크(PDN) 최적화를 통해 전 세대 대비 에너지 효율을 약 40% 개선했으며, 열 저항 특성은 약 10%, 방열 특성은 약 30% 향상시켰다. * TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극): 수천 개의 미세 구멍을 뚫은 D램 칩을 수직으로 쌓아 적층된 칩 사이를 전극으로 연결하는 첨단 패키징 기술 * TSV 데이터 송수신 저전압 설계: 데이터를 입·출력하는 구동회로의 전압을 1.1V에서 0.75V로 감소시키는 회로를 개발하여 TSV 구동 전력을 약 50% 절감 * 전력 분배 네트워크(PDN, Power Distribution Network): 반도체 칩 내부의 전력 공급망으로, 고속 동작 시에도 안정적인 전력 공급을 가능하게 하는 핵심 기술 삼성전자의 HBM4는 데이터센터 환경에 최적화된 최고 수준의 성능과 안정적인 신뢰성을 동시에 갖췄으며, 고객사는 삼성전자의 HBM4를 통해 GPU 연산 성능을 극대화하는 한편 서버·데이터센터 단위의 전력 소모와 냉각 비용을 절감하는 효과를 기대할 수 있다. 원스톱 솔루션·인프라 투자로 공급 안정성 확보…매출 3배 전망 삼성전자는 세계에서 유일하게 ▲로직 ▲메모리 ▲Foundry ▲패키징까지 아우르는 ‘원스톱 솔루션’을 제공할 수 있는 IDM(Integrated Device Manufacturer) 반도체 회사다. 향후 HBM이 고도화됨에 따라 베이스 다이의 역할이 더욱 중요해질 것으로 전망된다. 삼성전자는 자체적으로 보유한 Foundry 공정과 HBM 설계 간의 긴밀한 DTCO(Design Technology Co-Optimization) 협업을 통해, 품질과 수율을 동시에 확보한 최고 수준의 HBM을 지속적으로 개발해 나갈 계획이다. 또한 삼성전자는 선단 패키징 역량을 자체적으로 보유하고 있어, 공급망 리스크를 최소화하는 한편 생산 리드타임을 단축할 수 있는 경쟁력을 갖추고 있다. 이와 함께 삼성전자는 글로벌 주요 GPU 및 자체 칩을 설계·개발하는 차세대 ASIC 기반 하이퍼스케일러 고객사들로부터 HBM 공급 협력 요청을 지속적으로 받고 있으며, 이들과의 기술 협력을 더욱 확대해 나갈 방침이다. 삼성전자는 이러한 시장 흐름 속에서 2026년 당사의 HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가할 것으로 보고, HBM4 생산 능력을 선제적으로 확대하고 있다. 삼성전자는 업계 최대 수준의 DRAM 생산능력과 선제적인 인프라 투자를 통해 확보해 온 클린룸을 기반으로, HBM 수요가 확대될 경우에도 단기간 내 유연하게 대응할 수 있는 생산 역량을 갖추고 있다. 또한, 2028년부터 본격 가동될 평택사업장 2단지 5라인은 HBM 생산의 핵심 거점으로 활용될 예정이며, AI·데이터센터 중심의 중·장기 수요 확대 국면에서도 안정적인 공급 대응 역량을 지속적으로 확보해 나갈 예정이다. 2026년 HBM4E·2027년 Custom HBM 샘플 출하로 차세대 라인업 가동 삼성전자는 HBM4에 이어 HBM4E도 준비 중으로 2026년 하반기에 샘플 출하를 할 계획이다. * HBM4E: HBM4의 기본 구조를 기반으로, 동작 속도·대역폭·전력 효율을 한층 끌어올린 차세대 고대역폭 메모리 또한 Custom HBM도 2027년부터 고객사별 요구에 맞춰 순차 샘플링을 시작할 예정이다. * Custom HBM: Custom HBM은 고객의 AI 가속기·GPU 아키텍처에 맞춰 용량, 속도, 전력 특성, 인터페이스 등을 맞춤 설계한 고대역폭 메모리 제품. 표준화된 제품과 달리, 고객별 연산 구조와 사용 환경에 최적화해 성능 효율을 극대화할 수 있는 것이 특징 HBM4 양산 과정에서 확보한 1c 공정 기반의 품질과 공급 안정성은 향후 HBM4E 및 Custom HBM 등 고부가 제품으로의 전환 과정에서도 중요한 경쟁 요소가 될 것으로 기대된다.

태나아빠 2026.02.13

[반도체] 삼성 고성능 HBM4, 내달 엔비디아 첫 공급

삼성전자, 다음 달 엔비디아·AMD에 HBM4 공급 샘플 넘어선 정식 제품 주문 확보… 11.7Gbps 초고속 성능으로 '기술 초격차' 시동 삼성전자가 다음 달부터 업계 최초로 6세대 고대역폭메모리(HBM4)를 엔비디아와 AMD 등 글로벌 인공지능(AI) 반도체 시장의 핵심 기업에 정식 공급한다. 이는 단순 샘플 제공 단계를 넘어선 양산 제품 공급으로, 삼성전자가 HBM 시장의 주도권을 되찾기 위한 강력한 신호탄을 쏘아 올렸다는 평가다. 엔비디아·AMD 품질 테스트 '합격점'… 기술력 정상화 입증 반도체 업계에 따르면, 삼성전자는 최근 엔비디아와 AMD가 진행한 HBM4 최종 품질 테스트에서 합격점을 받았다. 이에 따라 양사는 다음 달부터 삼성전자의 HBM4 양산 제품을 공급받기로 결정했다. 삼성전자는 지난해 4분기 5세대 제품인 HBM3E(12단)의 엔비디아 테스트 통과와 구글용 납품 확대에 이어, 차세대 규격인 HBM4에서도 가장 먼저 출하 실적을 올리게 됐다. 업계 관계자는 "이번 공급 확정은 삼성의 메모리 기술력이 완전한 정상 궤도에 올랐음을 입증하는 결정적 계기"라고 분석했다. 요구 스펙 뛰어넘는 '괴물 성능'… 초당 11.7Gb 구현 이번에 공급되는 삼성전자의 HBM4는 고객사의 눈높이를 상회하는 압도적인 성능을 갖춘 것으로 알려졌다. 당초 엔비디아와 AMD는 초당 10Gb(기가비트)의 동작 속도를 요구했으나, 삼성전자는 이를 웃도는 11.7Gb를 구현해냈다. 이는 현존하는 업계 최고 수준의 성능으로, 엔비디아 내부 테스트 과정에서도 호평이 쏟아진 것으로 전해졌다. 이 제품은 올 하반기 출시 예정인 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '루빈(Rubin)'과 AMD의 'MI450' 등 최신형 칩셋에 탑재될 것이 유력하다. SK하이닉스 독주 체제 흔들까… 시장 판도 변화 예고 삼성전자가 차세대 HBM 시장 선점에 성공하면서 글로벌 시장 구도에도 지각변동이 예고된다. 그동안 HBM 시장은 SK하이닉스가 주도권을 쥐고 있었으나, 삼성전자가 기술력과 양산 속도 면에서 치고 나오며 강력한 경쟁자로 부상했기 때문이다. 시장 전문가들은 "삼성전자가 HBM4를 선제적으로 공급함에 따라 AI 가속기 시장 내 점유율 확대는 물론, 차세대 메모리 주도권 경쟁에서 유리한 고지를 점하게 될 것"이라고 전망했다.

태나아빠 2026.01.26

[반도체] TSMC, 4분기 순이익 23.5조

세계 최대 반도체 파운드리(위탁생산) 업체 TSMC가 인공지능(AI) 반도체 수요 확대에 힘입어 지난해 4분기 시장 기대치를 크게 웃도는 깜짝 실적을 기록했다. TSMC는 4분기 순이익이 5057억대만달러(약 23조5403억원)로 집계됐다고 15일 밝혔다. 전년 동기보다 35% 증가한 수치로, 분기 기준 사상 최대다. 증권가 평균 전망치였던 4670억대만달러도 약 8% 상회하는 어닝서프라이즈다. 이는 최근 논란이 되고 있는 이른바 AI 거품론을 재차 무색하게 하는 수치다. https://news.mtn.co.kr/news-detail/2026011515190751984

태나아빠 2026.01.15

[전자부품] YMTC, 중국 내 DRAM 생산 돌입… 지역 HBM 공급난 타개 노린다

중국의 대표적인 낸드(NAND) 플래시 메모리 업체 YMTC가 이제 DRAM 사업에 뛰어들고, ‘자국산 HBM’ 개발에 집중해 국내 공급난을 해결하려는 움직임을 보이고 있다. 현재 YMTC는 DRAM 생산 라인을 구축하고 있으며, HBM(고대역폭 메모리) 적층 기술 개발에도 착수한 상태다. 잘 알려진 대로 중국은 AI 칩 수요 급증으로 인해 HBM 부족 사태를 겪고 있으며, 이전 보도에 따르면 베이징은 수출 규제 이전에 확보한 HBM 재고에 의존해 왔지만 현재 거의 고갈된 상황이다. 단순한 칩 생산 부족보다 자국 내 HBM 공급 부재가 산업계에 더 큰 위협으로 다가오고 있으며, 이에 대응하기 위해 현지 기업들이 발 빠르게 움직이고 있다는 분석이다. 로이터에 따르면 YMTC 역시 DRAM 사업에 진출해 HBM 솔루션 자체 생산을 노리고 있다. 이번 움직임은 미국이 지난해 12월 고대역폭 메모리(HBM)를 포함한 첨단 반도체에 대한 대중국 수출 통제를 강화한 이후, 중국이 자국 내 첨단 칩 제조 역량을 키우려는 긴박한 상황을 잘 보여준다. HBM은 AI 칩셋 제작에 필수적인 특수 DRAM으로, 중국은 해외 의존도가 매우 높은 상태다. 또한 보도에 따르면 YMTC는 TSV(Through-Silicon Via)라고 불리는 첨단 패키징 기술에도 주력하고 있다. TSV는 여러 VRAM 다이를 적층해 연결하는 HBM 구현의 핵심 기술 중 하나다. YMTC는 NAND 사업에 이어 DRAM 전용 생산 라인을 세우려 하고 있으며, 이를 통해 HBM 생산을 직접 추진해 수요·공급 병목 현상을 완화하는 것을 목표로 하고 있다. 이는 현재 중국 내 빅테크 기업들의 AI 칩 도입을 가로막는 가장 큰 걸림돌 중 하나로 꼽힌다. 앞서 보도된 내용에 따르면, YMTC는 중국 DRAM 제조업체인 CXMT와 협력해 공동 HBM 생산에 나설 계획이다. 이 과정에서 CXMT는 3D 적층 기술 분야의 전문성을 제공할 것으로 전해졌다. YMTC는 우한 지역의 한 시설을 DRAM 생산 전용으로 배정할 예정이지만, 구체적인 생산 규모는 아직 불확실하다. DRAM 사업 진출은 비교적 새로운 시도이기 때문에 최종적인 성과가 나오기까지는 다소 시간이 걸릴 전망이다. HBM 공급 병목 현상은 중국 기업들이 반드시 해결해야 할 핵심 과제로 꼽히고 있다. 특히 최근 화웨이가 차세대 AI 칩에 자체 개발한 HBM 공정을 통합했다고 발표하면서, 중국 내 HBM 기술 확보 경쟁은 더욱 가속화되는 분위기다. https://wccftech.com/china-ymtc-is-now-tapping-into-the-dram-business/

UK0000000010 2025.09.26

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