“SK하이닉스, 차세대 DDR5 ‘A-Die’ 포착”
신형 AKBD 코드, 7200MT/s 네이티브 속도로 세대 교체
SK하이닉스 차세대 3Gb DDR5 A-Die 메모리 칩이 확인됐다. 페이스북 Clock’EM UP에 올라온 사진에 따르면, 칩 표면에는 “X021” 마킹과 “AKBD” 부품 코드가 인쇄되어 있다. 업계에서는 이를 2세대 3Gb A-Die, 즉 기존 M-Die를 잇는 새로운 DDR5 세대의 등장을 알리는 신호로 내다봤다.
“‘AKBD’ 표기, JEDEC 기준 7200MT/s 속도 암시.”
하이닉스는 그동안 EB, GB, HB 등의 코드로 각각 4800, 5600, 6400MT/s급 메모리를 구분해왔다. ‘KB’는 그 연장선상에서 7200MT/s 네이티브 클럭을 의미하는 것으로 해석된다. 게시물 작성자인 팀그룹(TeamGroup)의 케빈 우(Kevin Wu)도 댓글을 통해 “JEDEC 7200MHz 속도”임을 확인했다.
“인텔 차세대 플랫폼과의 로드맵 일치.”
신형 A-Die는 인텔의 애로레이크 리프레시(Arrow Lake Refresh)와 팬서레이크(Panther Lake) CPU 플랫폼과 정확히 맞물린다. 인텔의 공식 ‘Plan of Record’에 따르면, 해당 세대의 CPU는 DDR5-7200을 공식 지원할 예정이다. 이는 기존 랩터레이크의 5600MT/s와 애로레이크의 6400MT/s 대비 한 단계 높은 수치로, 차세대 고클럭 메모리 킷의 기반이 될 것으로 보인다.
“8층 PCB 샘플, 한계는 존재하지만 방향은 명확.”
샘플은 8층 PCB 구조를 사용하고 있으며, 일부 사용자는 “고클럭 안정성에서는 불리할 수 있다”고 지적했다. 실제로 8층 기판은 8000MT/s 이상의 고주파 환경에서 신호 무결성과 전력 분배 효율이 떨어지는 경향이 있다. 이 때문에 제조사들은 보통 10층 혹은 12층 PCB를 사용해 신호 경로를 정제하고 고속 구동을 안정화한다.
오버클러커 커뮤니티에서는 이미 12,000MT/s 이상, 일부에서는 13,000MT/s를 공식 돌파한 사례도 등장하고 있다. 따라서 차세대 A-Die ‘AKBD’ 칩이 본격적인 성능을 발휘하기 위해서는, 더 높은 층수의 PCB 설계와 정교한 전원 공급 구조가 병행되어야 한다.
“차세대 고클럭 DDR5 시장의 토대.”
SK하이닉스는 공식 발표를 내놓지 않았지만, 유출로 차세대 DDR5 제품군의 청사진이 구체화됐다. M-Die를 대체하는 3Gb A-Die, 7200MT/s JEDEC 기본 속도, 향상된 신호 제어 구조 까지의 세 가지 요소는 차세대 인텔 플랫폼뿐 아니라 AMD의 차후 라이젠 프로세서에도 중요한 기반이 될 전망이다.
출처: WCCFtech / Sarfraz Khan
** 해외 외신을 읽기 좋게 재구성, 커뮤니티 빌런 18+에만 업데이트 하였습니다.
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