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[PC/노트북] 크루셜 다시 돌아오나요?

마이크론 HBM4 납품 실패로 하이닉스와 삼성 2강 체제 돌입했다고 합니다. 마이크론은 이제 다시 B2C로 돌아왔음 좋겠네요. 크루셜 재런칭 하는게 마이크론에게 더 득일거 같은데..

태나아빠 2026.02.10

[반도체] SK하이닉스, 미국 전용 조직 ‘AI 컴퍼니’ 추진

메모리 수요 폭증 타고 AI 데이터센터 솔루션까지 확장 SK하이닉스가 미국 시장을 겨냥한 전용 조직을 새로 만들 계획이라고 밝혔다. 사명은 다소 직설적으로 ‘AI 컴퍼니’이며, 메모리 수요 폭증 국면을 단순히 가격 인상으로만 소비하지 않고, 미국 고객을 직접 상대하는 AI 데이터센터 솔루션 사업으로 확장하겠다는 의도가 담겼다. 현재 DRAM 시장은 이른바 슈퍼사이클 구간에 들어섰고, 삼성과 SK하이닉스 같은 메모리 업체는 AI 데이터센터 수요를 중심으로 수익성이 크게 확대되는 흐름을 맞고 있다. SK하이닉스는 여기에 더해, 미국에 별도 조직을 두고 ‘새 성장 동력’을 찾겠다는 계획을 내놨다. 메모리 칩 공급을 넘어, AI 공급망 전반에서 수익 기회를 더 넓히려는 방향으로 읽힌다. SK하이닉스는 미국 조직 설립 목적을 공식적으로 “AI 시대의 기회 확보”라고 설명했다. 회사는 글로벌 파트너와 협력을 강화하고, 메모리 경쟁력을 기반으로 AI 데이터센터 솔루션을 제공하겠다는 입장을 밝혔다. "The planned establishment of AI Co. is aimed at securing opportunities in the emerging AI era. The company will continue to work closely with global partners while proactively creating value for customers" - SK hynix 구체적인 사업 내용은 언급되지 않았다. 다만 SK하이닉스는 AI 관련 기업 투자와 협력을 지속하며, 메모리 칩 경쟁력 강화와 함께 다양한 AI 데이터센터 솔루션을 제공하겠다고 언급했다. 또한 ‘혁신 기업에 투자’하겠다는 계획도 포함했지만, 투자 대상이나 파트너 이름은 공개하지 않았다. 조직은 몇 달 전 정리된 NAND 사업 계열사 솔리다임의 빈자리를 대체하는 성격도 공존한다. SK하이닉스가 AI를 최우선 과제로 두고 사업 구조를 재편하는 흐름 속에서, 미국 전용 AI 조직은 그 상징적인 결과물이라는 것. 초기 투자 규모로는 100억 달러가 예고된 상황. 최근 몇 주간 SK하이닉스가 미국 상장을 검토한다는 소문이 돌기도 했는데, 이번 미국 조직 신설이 그런 전망 대신 ‘미국 내 존재감’을 강화하는 방식으로 방향을 튼 것이라는 해석도 나온다. 미국에 전용 조직을 두면, 미국 고객을 더 직접적으로 상대할 수 있고, 본토 시장에서 마이크론 같은 업체와도 정면 경쟁을 벌일 수 있다. 향후 관전 포인트는 실행이다. 미국 조직이 영업 거점인지, 아니면 실제로 데이터센터 솔루션과 협업, 투자까지 포괄하는 실체를 갖추는지에 따라 비중이 달라진다. 업계에서는 SK하이닉스가 미국 내 신규 팹 프로젝트, 미국 제조사와의 협력 확대, 조기 시장 선점 전략 등을 통해 존재감을 키우려 할 가능성이 크다고 보고 있다. https://www.weeklypost.kr/news/articleView.html?idxno=10406

대장 2026.01.29

[컴퓨터] SK하이닉스, 2029~2031 차세대 메모리 로드맵 공개

SK하이닉스, 2029~2031 차세대 메모리 로드맵 공개 HBM5·DDR6·GDDR7-Next·400단 이상 4D 낸드 예고 SK하이닉스가 SK AI Summit 2025에서 2029~2031년을 겨냥한 차세대 메모리 로드맵을 공개했다. 로드맵에는 HBM5/HBM5E, GDDR7-Next, DDR6, 그리고 400층 이상 4D NAND가 포함돼 있으며, 차세대 AI 인프라와 고성능 컴퓨팅 수요에 대응하기 위한 구체적인 전략이 제시됐다. 2026~2028: HBM4·HBM4E와 맞춤형 HBM(Custom HBM) 하이닉스는 2026~2028년 사이 HBM4 16-Hi, HBM4E 8/12/16-Hi 제품군을 순차적으로 선보일 계획이다. 여기에 GPU·ASIC용 맞춤형(Custom) HBM 솔루션도 병행 개발 중이다. 커스텀 HBM은 HBM 컨트롤러 및 프로토콜 IP를 베이스 다이(Base Die) 로 이전해, GPU와 AI 가속기의 연산 칩 면적을 확장하고 인터페이스 전력 소비를 줄이는 구조를 채택한다. SK하이닉스는 솔루션의 베이스 다이와 공정 최적화를 위해 TSMC와 협력 중이다. 동 시기에는 또 다른 주요 DRAM 라인업으로 LPDDR6, LPDDR5X SOCAMM2, LPDDR5R, MRDIMM Gen2, CXL LPDDR6-PIM(2세대) 등 AI 중심의 DRAM 제품군이 포함된다. NAND 부문에서는 PCIe Gen5 eSSD(최대 245TB QLC), PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0, 그리고 AI 연산에 특화된 AI-N NAND 솔루션이 개발된다. 2029~2031: HBM5·HBM5E와 DDR6, 그리고 GDDR7-Next 다음 단계인 2029~2031년 구간에는 HBM5와 HBM5E, 그리고 커스텀 HBM5 솔루션이 로드맵에 포함돼 있다. 그래픽 메모리에서는 GDDR7-Next가 새롭게 등장하며, 이는 현재의 GDDR7(최대 48Gbps)을 뛰어넘는 후속 규격이다. GDDR7의 최대 속도를 완전히 활용하는 데 2027~2028년까지 걸릴 것으로 예상되며, 하이닉스는 그 이후 차세대 표준으로 GDDR7-Next를 투입할 계획이다. 메인스트림 DRAM 시장에서는 DDR6이 같은 시기에 본격화된다. 이는 기존 DDR5 이후 데스크톱·노트북 PC에 적용될 차세대 규격으로, 업계 전반의 도입은 2030년 전후가 될 전망이다. NAND: 400층 이상 4D NAND 및 High-Bandwidth Flash(HBF) NAND 분야에서는 400단 이상 적층의 4D NAND와 함께 HBF(High-Bandwidth Flash) 기술이 주력으로 개발된다. HBF는 AI 추론(inference) 환경에서 높은 대역폭과 효율을 제공하도록 설계된 차세대 낸드 구조로, 향후 AI PC 및 고성능 SSD에서 핵심 역할을 담당할 것으로 기대된다. SK하이닉스는 로드맵에서 Full Stack AI Memory 전략을 제시했다. 기존 범용 메모리 중심 구조에서 벗어나, AI 최적화 DRAM(AI-D) 과 AI용 NAND(AI-N) 로 제품군을 세분화해 AI 연산 효율을 극대화한다는 계획이다. AI-D O(Optimization): 저전력·고성능 메모리로 TCO(총소유비용) 절감 및 효율성 향상 AI-D B(Breakthrough): 초대용량·유연한 메모리 할당으로 메모리 병목(Memory Wall) 극복 AI-D E(Expansion): 로보틱스, 자율주행, 산업 자동화 등으로 메모리 활용 영역 확장 SK하이닉스는 “AI 시대에는 컴퓨팅보다 메모리 효율이 핵심 경쟁력으로 작용할 것”이라며, HBM·AI-DRAM·AI-NAND로 이어지는 통합 메모리 생태계 구축에 집중하겠다고 밝혔다. 이는 하이닉스가 단순 메모리 제조사를 넘어 AI 인프라 최적화 기업으로의 전환을 선언한 전략적 신호로 해석된다. 출처: WCCFtech

구라파통신원 2025.11.04

[컴퓨터] AI 수요 폭발로 올해 DRAM 가격 172% 급등

AI 수요 폭발로 올해 DRAM 가격 172% 급등 삼성·하이닉스, DDR 신규 주문 중단 2025년 들어 DRAM 가격이 연초 대비 172% 상승하며, 메모리 업계가 초유의 공급 위기를 맞고 있다. AI 시장의 폭발적 수요가 대부분의 생산 능력을 흡수하면서, 주요 제조사들이 소비자용 DDR 메모리 신규 주문을 일시 중단하는 상황까지 이어졌다. DigiTimes 보도에 따르면, 삼성전자는 최근 DDR5 계약 가격 산정을 중단했으며, 마이크론(Micron)과 SK하이닉스 역시 비슷한 조치를 검토 중이다. AI 데이터센터와 클라우드 서비스 제공업체(CSP)의 수요가 급격히 늘어나면서, 기존의 소비자용 DRAM 생산 라인이 대거 HBM 및 AI 서버용 DDR5로 전환된 것이다. 이로 인해, 소비자용 DDR4·DDR5 메모리 생산량이 크게 줄어들고, 삼성·하이닉스·마이크론 모두 “신규 주문을 받지 못하는” 이례적 상황이 발생했다. DDR5 가격, 한 달 새 두 배 폭등 스팟(spot) 시장 기준으로 DDR5 16Gb 제품 가격은 지난달 대비 거의 두 배 상승한 15.50달러를 기록했다. 이는 올해 들어 172% 급등한 수치이며, 내년 1분기까지 상승세가 지속될 가능성이 높다. 특히 AI 서버 업체들이 장기 계약(Long-Term Contract) 으로 메모리를 선점하고 있어, 일반 소비자 시장의 공급은 더욱 제한될 것으로 전망된다. 소비자 시장, 20~40% 가격 인상 현실화 소비자용 메모리 브랜드인 커세어(Corsair), 에이데이타(Adata) 등의 제품 가격은 3분기 이후 꾸준히 상승세를 보이고 있다. 소매 시장에서도 최근 몇 주간 최소 20~40% 인상이 확인되며, 재고 부족이 심화되는 상황이다. 제조사들이 AI용 메모리 생산에 집중하는 동안, 일반 PC용 DDR 메모리는 사실상 공급 부족이 구조적으로 고착화되고 있다. DRAM 제조사 입장에서는 이 같은 수요 폭발이 매출 급등의 기회지만, 소비자에게는 악재다. 특히 연말 세일 시즌을 앞두고 있는 지금, 향후 몇 달 내 메모리 가격이 추가로 오를 가능성이 높다. 전문가들은 “PC 업그레이드를 계획 중이라면 더 늦기 전에 메모리를 구매하는 것이 현명하다”고 조언한다. 2026년 1분기까지 공급 병목 현상이 해소되지 않을 것으로 보이며, AI 시장의 확장이 지속되는 한 DRAM 가격 상승세는 이어질 전망이다. 출처: WCCFtech / Muhammad Zuhair (2025년 11월 3일 온라인 판)

구라파통신원 2025.11.04

[전자부품] SK하이닉스, 7200MT/s DDR5 신규 칩 4종 포착 ‘2Gb B-다이·4Gb M-다이까지 라인업 확장’

SK하이닉스, 7200MT/s DDR5 신규 칩 4종 포착 ‘2Gb B-다이·4Gb M-다이까지 라인업 확장’ SK하이닉스가 최대 7200MT/s 속도를 지원하는 새로운 DDR5 메모리 칩을 준비 중인 것으로 확인됐다. 최근 중국 전자상거래 플랫폼 JD.com에 등록된 제품 정보에서, 기존 A-다이 외에도 B-다이·C-다이·M-다이 기반 신규 DDR5 칩 3종이 새롭게 등장했다. 4세대 칩 라인업으로 확장, 최대 4Gb M-다이까지 포함 이번에 포착된 칩은 모두 7200MT/s 동작 속도를 지원하며, 제품명에 ‘KB’ 코드가 포함되어 있다. 세부 모델과 스펙은 다음과 같다. 파트 넘버 다이 종류 속도 용량(밀도) H5CG48CKBD-X030 C-다이 7200 MT/s 2Gb H5CGD8AKBD-X021 A-다이 7200 MT/s 3Gb H5CG58MKBD-X051 M-다이 7200 MT/s 4Gb H5CC48BKBD-X030 B-다이 7200 MT/s 2Gb SK하이닉스가 2Gb B-다이를 공개한 것은 이번이 처음이며, 4Gb M-다이 역시 새로운 공정 노드로는 최초의 용량 구성이 된다. 비록 4Gb는 고용량 모듈에 쓰이는 16Gb~24Gb급 다이에 비해 작지만, 초고속·저용량 구성을 위한 특화 제품으로 추정된다. 고속 메모리 구동 위한 10~12층 PCB 필요 7200MT/s급 DDR5 모듈은 신호 간섭과 발열 제어를 위해 10층 혹은 12층 PCB 설계가 필수적이다. 현재 JD.com에 등록된 제품은 샘플 성격이 강하며, 본격 양산 시에는 고층 PCB 기반의 신호 무결성 강화 버전이 등장할 것으로 예상된다. SK하이닉스의 신형 DDR5 칩 포착은 JEDEC 표준(6400MT/s)을 넘어서는 속도 경쟁이 본격화됐음을 보여준다. 업계는 이를 차세대 고성능 PC 메모리 및 오버클러커 시장을 겨냥한 ‘전초전’으로 해석하고 있다. 특히 인텔의 애로레이크 리프레시(Arrow Lake Refresh) 와 팬서레이크(Panther Lake) CPU가 7200MT/s DDR5를 공식 지원할 예정이어서, 향후 이 칩들이 주요 플랫폼의 기반이 될 가능성이 높다. SK하이닉스는 아직 공식 발표를 내놓지 않았지만, 여러 정황상 이미 내부적으로 7200MT/s급 A·B·C·M-다이 풀 라인업을 완성한 것으로 보인다.

구라파통신원 2025.10.30

[반도체] 삼성 HBM4 공개, 로직 수율 90% 달성 하이닉스·마이크론에 도전장

“삼성 HBM4 공개, 로직 수율 90% 달성" 대량 양산 임박, 하이닉스·마이크론에 정면 도전 삼성이 차세대 HBM4 메모리를 처음으로 일반에 공개했다. 한국 반도체 산업의 대표주자인 삼성전자가 SK하이닉스와 마이크론이 주도하던 HBM 시장에 다시 본격적으로 뛰어들며, AI 시대 핵심 부품 경쟁의 중심으로 복귀한 셈이다. 경기도 일산에서 열린 SEDEX 2025(반도체대전) 현장에서 삼성은 HBM3E와 HBM4 모듈을 함께 전시하며 기술적 진전을 강조했다. “로직 다이 수율 90%, 양산은 시간문제.” DigiTimes의 보도에 따르면, 삼성의 HBM4 공정은 로직 다이 수율이 90%에 도달한 상태다. 이는 양산 전환 단계로 진입했음을 의미하며, 현재로서는 일정 지연 가능성도 없는 것으로 평가된다. 삼성은 과거 DRAM 시장에서 주도권을 잃었던 경험을 교훈 삼아, 이번에는 경쟁사와 동시에 양산 라인을 가동하는 전략을 택했다. “HBM4는 AI 경쟁력의 핵심.” HBM4는 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory) 기술의 차세대 규격으로, AI 연산 성능 향상에 직접적으로 기여하는 핵심 부품이다. 삼성, 하이닉스, 마이크론 등 글로벌 메모리 3사는 모두 HBM4 시장 선점을 위해 기술과 생산력을 집중하고 있다. 특히 핀 속도 11Gbps 수준의 성능을 목표로 하고 있으며, 이는 SK하이닉스나 마이크론이 제시한 수치보다 높은 수준이다. 가격 경쟁력과 생산량 확보를 동시에 추진해, 엔비디아(NVIDIA) 같은 주요 고객사의 채택을 이끌어내겠다는 전략이다. “엔비디아 인증은 아직… 하지만 자신감은 확고.” 현재 삼성은 엔비디아로부터 HBM4 공급 승인을 받지는 못했지만, 기술 완성도와 수율 면에서 긍정적인 평가를 받고 있다. 삼성 내부에서는 “기술적 우위가 이미 확보된 만큼, HBM4 세대에서는 뒤처지지 않을 것”이라는 자신감이 감지된다. 같은 행사에서 SK하이닉스 역시 TSMC와 협력해 개발한 HBM4 모듈을 선보였다. 하이닉스는 이미 HBM3E 시장에서 엔비디아와의 파트너십을 통해 확고한 점유율을 유지하고 있으며, HBM4에서도 빠른 대응 속도를 보이고 있다. “AI 반도체 수요 폭발, 경쟁은 이제부터.” AI 학습과 추론 성능의 핵심 부품으로 자리 잡은 HBM 시장은 그 어느 때보다 치열한 경쟁 구도로 접어들고 있다. 삼성이 수율, 속도, 가격 삼박자를 앞세운 HBM4 전략을 공개함에 따라, 차세대 메모리 시장은 한층 뜨겁게 달아오를 전망이다. 출처: WCCFtech / Muhammad Zuhair ** 해외 외신을 읽기 좋게 재구성, 커뮤니티 빌런 18+에만 업데이트 하였습니다.

구라파통신원 2025.10.23

[컴퓨터] SK하이닉스, 차세대 DDR5 ‘A-Die’ 등장 (신형 AKBD 코드)

“SK하이닉스, 차세대 DDR5 ‘A-Die’ 포착” 신형 AKBD 코드, 7200MT/s 네이티브 속도로 세대 교체 SK하이닉스 차세대 3Gb DDR5 A-Die 메모리 칩이 확인됐다. 페이스북 Clock’EM UP에 올라온 사진에 따르면, 칩 표면에는 “X021” 마킹과 “AKBD” 부품 코드가 인쇄되어 있다. 업계에서는 이를 2세대 3Gb A-Die, 즉 기존 M-Die를 잇는 새로운 DDR5 세대의 등장을 알리는 신호로 내다봤다. “‘AKBD’ 표기, JEDEC 기준 7200MT/s 속도 암시.” 하이닉스는 그동안 EB, GB, HB 등의 코드로 각각 4800, 5600, 6400MT/s급 메모리를 구분해왔다. ‘KB’는 그 연장선상에서 7200MT/s 네이티브 클럭을 의미하는 것으로 해석된다. 게시물 작성자인 팀그룹(TeamGroup)의 케빈 우(Kevin Wu)도 댓글을 통해 “JEDEC 7200MHz 속도”임을 확인했다. “인텔 차세대 플랫폼과의 로드맵 일치.” 신형 A-Die는 인텔의 애로레이크 리프레시(Arrow Lake Refresh)와 팬서레이크(Panther Lake) CPU 플랫폼과 정확히 맞물린다. 인텔의 공식 ‘Plan of Record’에 따르면, 해당 세대의 CPU는 DDR5-7200을 공식 지원할 예정이다. 이는 기존 랩터레이크의 5600MT/s와 애로레이크의 6400MT/s 대비 한 단계 높은 수치로, 차세대 고클럭 메모리 킷의 기반이 될 것으로 보인다. “8층 PCB 샘플, 한계는 존재하지만 방향은 명확.” 샘플은 8층 PCB 구조를 사용하고 있으며, 일부 사용자는 “고클럭 안정성에서는 불리할 수 있다”고 지적했다. 실제로 8층 기판은 8000MT/s 이상의 고주파 환경에서 신호 무결성과 전력 분배 효율이 떨어지는 경향이 있다. 이 때문에 제조사들은 보통 10층 혹은 12층 PCB를 사용해 신호 경로를 정제하고 고속 구동을 안정화한다. 오버클러커 커뮤니티에서는 이미 12,000MT/s 이상, 일부에서는 13,000MT/s를 공식 돌파한 사례도 등장하고 있다. 따라서 차세대 A-Die ‘AKBD’ 칩이 본격적인 성능을 발휘하기 위해서는, 더 높은 층수의 PCB 설계와 정교한 전원 공급 구조가 병행되어야 한다. “차세대 고클럭 DDR5 시장의 토대.” SK하이닉스는 공식 발표를 내놓지 않았지만, 유출로 차세대 DDR5 제품군의 청사진이 구체화됐다. M-Die를 대체하는 3Gb A-Die, 7200MT/s JEDEC 기본 속도, 향상된 신호 제어 구조 까지의 세 가지 요소는 차세대 인텔 플랫폼뿐 아니라 AMD의 차후 라이젠 프로세서에도 중요한 기반이 될 전망이다. 출처: WCCFtech / Sarfraz Khan ** 해외 외신을 읽기 좋게 재구성, 커뮤니티 빌런 18+에만 업데이트 하였습니다.

구라파통신원 2025.10.22