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인텔 코어 울트라7
삼성전자가 연결 기준으로 매출 93.8조원, 영업이익 20.1조원의 2025년 4분기 실적을 발표했다. 삼성전자는 DS(Device Solutions)부문의 HBM(High Bandwidth Memory) 고부가 제품 판매 확대와 메모리 가격 상승 등에 힘입어 역대 최대 분기 매출과 영업이익을 달성했다. DX(Device eXperience)부문은 스마트폰 신모델 출시 효과 감소 등으로 매출이 전분기 대비 8% 감소했으나, DS부문의 매출이 전분기 대비 33% 증가해 이번 분기 실적 개선을 이끌었다. 전사 매출은 전분기 대비 7.7조원 증가한 93.8조원(9% 증가), 영업이익은 전분기 대비 7.9조원 증가한 20.1조원(65% 증가)을 기록했다. 삼성전자는 4분기 연구개발비에 10.9조원, 2025년 연간으로는 역대 최대인 37.7조원을 투입해 미래 기술 확보를 위한 투자를 이어갔다. [4분기 실적] DS(Device Solutions) 부문 매출 44조원, 영업이익 16.4조원 메모리는 범용 D램의 수요 강세에 적극 대응하고 HBM 판매도 확대해 사상 최대 분기 매출 및 영업이익을 기록했다. 또한, 메모리 가격 상승과 함께 서버용 DDR5(Double Data Rate 5), 기업용 SSD(Solid State Drive) 등 고부가가치 제품 판매 확대로 영업이익이 증가했다. 시스템LSI는 계절적 수요 변화 등으로 전분기 대비 실적이 하락했으나, 이미지센서는 2억 화소 및 빅픽셀 5천만 화소 신제품 판매 확대로 매출은 성장했다. 파운드리는 2나노 1세대 신제품 양산을 본격화하고 미국과 중국의 거래선 수요 강세로 매출이 증가했으나, 충당 비용 영향으로 수익성 개선은 제한적이었다. DX(Device eXperience)부문 매출 44.3조원, 영업이익 1.3조원 MX(Mobile eXperience)는 신모델 출시 효과 감소 등으로 4분기 판매량은 감소했으나, 플래그십 제품의 매출 성장과 태블릿·웨어러블의 안정적 판매로 연간 실적은 두 자리 수익성을 기록했다. 네트워크는 북미 지역 매출 증가로 전분기 및 전년 대비 실적이 개선됐다. VD(Visual Display)는 ▲Neo QLED ▲OLED TV 등 프리미엄 제품의 견조한 판매와 성수기 수요 대응으로 전분기 대비 매출이 확대되었다. 생활가전은 계절적 비수기가 지속되고 글로벌 관세 영향으로 실적이 하락했다. 하만 매출 4.6조원, 영업이익 0.3조원 하만은 유럽 시장에서 전장 제품 공급을 확대하고 오디오 시장 성수기를 맞아 ▲포터블 ▲TWS(True Wireless Stereo) 등 신제품을 출시해 매출이 증가했다. 디스플레이 매출 9.5조원, 영업이익 2조원 중소형은 주요 고객사의 스마트폰 수요 확대와 IT 및 자동차 제품 판매 확대로 견조한 실적을 달성했다. 대형은 연말 성수기 시장 수요 대응으로 판매가 확대됐다. [1분기 전망] 1분기는 AI 및 서버 수요 중심으로 반도체 사업의 성장세가 지속될 것으로 예상된다. 삼성전자는 글로벌 관세 등 매크로 환경의 불확실성을 예의주시하며 수익성 확보 중심의 안정적 경영 기조를 이어갈 계획이다. DS부문 메모리는 AI용 수요 강세로 업계 전반의 견조한 시황이 기대되는 가운데, 고부가 제품을 중심으로 시장 수요에 적극 대응할 방침이다. 또한, 업계 최고 수준의 11.7Gbps(Gigabits per second) 제품을 포함한 HBM4 양산 출하를 통해 시장을 선도할 계획이다. 시스템LSI는 SoC(System on Chip) 신제품을 안정적으로 공급해 매출 성장을 추진하고 2억화소 이미지 센서 라인업을 확대해 실적 개선에 집중할 계획이다. 파운드리는 계절적 비수기 영향으로 매출이 감소할 것으로 예상되나, ▲HPC(High Performance Computing) ▲모바일 관련 대형 고객사 중심으로 수주를 확대할 방침이다. DX부문 MX는 갤럭시 S26을 출시해 플래그십 제품 중심으로 판매를 확대하고 에이전틱(Agentic) AI 경험을 기반으로 AI 스마트폰 시장 리더십을 공고히 할 계획이다. 네트워크는 주요 통신사 투자 감소로 매출이 감소할 것으로 예상되나, 신규 수주 확대를 통해 매출 성장을 추진할 방침이다. VD는 마이크로 RGB TV 등 화질과 AI 기능이 강화된 신제품을 출시해 매출 성장과 수익성 개선에 주력할 계획이다. 생활가전은 AI 경험이 강화된 프리미엄 제품 중심으로 판매를 확대하고 에어컨 제품의 계절적 수요 회복을 통해 실적 개선을 추진할 방침이다. 하만 하만은 디지털 콕핏과 카오디오 등 전장 제품 판매를 확대하는 한편, 오디오 제품 매출도 지속 성장세를 이어갈 것으로 예상된다. 디스플레이 중소형은 스마트폰 수요 약세 전망에도 불구하고, 주요 고객사의 플래그십 스마트폰 신제품에 탑재되는 디스플레이를 적기 개발하고 공급해 판매 확대를 추진할 계획이다. 대형은 QD-OLED 신제품 출시로 판매를 확대할 방침이다. [2026년 전망] 2026년에는 글로벌 관세와 지정학적 불확실성 등 다양한 리스크가 지속될 것으로 예상된다. DS부문은 ▲로직 ▲메모리 ▲파운드리 ▲패키징까지 모두 갖춘 ‘원스톱 솔루션’이 가능한 세계 유일의 반도체 회사로서의 강점을 바탕으로 AI 반도체 시장을 선점할 계획이다. DX부문은 공급망 다변화와 운영 최적화를 통해 근원적 경쟁력을 확보함으로써 리스크에 대응하는 한편, AI가 적용된 제품군을 확대하고 AI 기술을 유기적으로 통합해 AI 전환기를 이끌어갈 방침이다. DS부문 메모리는 AI 관련 수요 강세가 이어질 것으로 예상되는 가운데, 고성능 HBM4 시장이 본격화되고 서버용 D램 고용량화 추세도 지속 확대될 전망이다. D램의 경우 성능 경쟁력을 갖춘 HBM4를 적기에 공급하고, 낸드는 AI용 KV(Key Value) SSD 수요 강세에 대응해 고성능 TLC(Triple Level Cell) 기반 SSD 판매를 확대할 계획이다. 시스템LSI는 차별화된 성능 및 안정된 수율을 기반으로 SoC 판매를 확대하고 이미지센서의 경우 미세 픽셀 경쟁력을 강화해 기술 리더십을 강화할 방침이다. 파운드리는 첨단 공정 중심으로 두 자리 이상 매출 성장과 손익 개선을 추진할 방침이다. 하반기에는 2나노 2세대 공정이 적용된 신제품을 양산하고 4나노의 성능 및 전력을 최적화해 기술 경쟁력을 지속 강화할 계획이다. DX부문 MX는 차세대 AI 경험과 폼팩터 슬림화·경량화 혁신을 지속해 AI 스마트폰 시장 리더십을 공고히 하고, 강화된 제품 경쟁력을 기반으로 신시장을 개척해 전 제품군의 성장을 추진할 계획이다. 올해는 원가 부담 가중이 예상되지만 플래그십 제품 판매 확대 및 비용 효율화를 통해 수익성을 개선할 방침이다. 네트워크는 가상 무선 접속 네트워크(Virtualized Radio Access Network) 및 개방형 무선 접속 네트워크(Open Radio Access Network)를 기반으로 신규 수주를 추진할 계획이다. VD는 글로벌 스포츠 이벤트를 맞아 교체 수요를 공략해 ▲마이크로 RGB ▲OLED TV 중심으로 매출 성장을 추진할 예정이다. 생활가전은 AI 가전 제품 판매를 확대하고 플랙트 그룹과의 시너지를 기반으로 HVAC(Heating, Ventilation, and Air Conditioning, 냉난방공조) 사업을 확대할 계획이다. 하만 하만은 첨단 운전자 보조 시스템(Advanced Driver Assistance System) 사업 역량을 강화해 전장 사업 수주를 늘리고 프리미엄 오디오 제품 판매를 확대해 수익성 강화를 추진할 계획이다. 디스플레이 중소형은 차별화된 기술력을 바탕으로 스마트폰 시장에서의 리더십을 지속 유지할 방침이다. 대형은 TV의 경우 고휘도 신제품을 중심으로 프리미엄 시장 리더십을 유지하고 모니터 제품은 차별화된 성능을 기반으로 판매를 확대할 계획이다.
2026.01.29
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삼성전자, 서버용 D램값 최대 70% '파격 인상'… "부르는 게 값" AI 메모리 대란 구글·MS 등 빅테크에 통보… AI 수요 폭발·HBM 쏠림에 공급 부족 심화 반도체 업계 "공급자 우위 시장(Seller's Market)으로 완벽 전환" 삼성전자가 주요 글로벌 빅테크 고객사들에게 서버용 D램 가격을 최대 70% 인상하겠다는 파격적인 조건을 제시한 것으로 확인됐다. 인공지능(AI) 데이터센터 증설 경쟁으로 메모리 주문이 폭주하는 가운데, '메모리 슈퍼 사이클(초호황기)'이 예상보다 더 강력하게 도래했다는 분석이 나온다. 9일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 최근 구글, 마이크로소프트(MS), 아마존 등 주요 고객사와의 2026년 1분기 가격 협상에서 서버용 D램(DDR5) 공급가를 전 분기 대비 최대 70% 인상하겠다고 통보했다. 통상적인 분기별 인상 폭이 한 자릿수에서 많아야 10~20% 수준임을 감안하면, 이번 인상안은 전례를 찾기 힘든 수준이다. 삼성전자 측은 "AI 시장 급성장으로 고용량 서버용 메모리 수요가 감당할 수 없을 정도로 늘어난 반면, 공급 여력은 한계에 도달했다"며 가격 인상이 불가피함을 피력한 것으로 알려졌다. 이번 '가격 급등'의 핵심 원인은 HBM(고대역폭메모리)의 역설'에 있다. 삼성전자와 SK하이닉스 등 주요 메모리 업체들이 AI 가속기에 들어가는 HBM 생산에 사활을 걸면서, 일반 D램 생산 라인 가동률이 상대적으로 줄어들었기 때문이다. HBM은 일반 D램보다 웨이퍼 면적을 2~3배 더 많이 차지하고 공정 난이도가 높아, HBM을 많이 만들수록 일반 D램 생산량은 급감하는 구조다. 반도체 시장 조사업체 관계자는 "빅테크 기업들이 AI 주도권을 뺏기지 않기 위해 가격을 불문하고 물량 확보에 나서면서 시장이 철저한 공급자 우위(Seller's Market)'로 재편됐다"며 "지금은 부르는 게 값인 상황이며, 이 같은 추세는 올해 상반기 내내 지속될 것"이라고 전망했다. 삼성전자의 이번 결정은 실적에도 즉각적인 영향을 미칠 것으로 보인다. 증권가에서는 삼성전자의 반도체 부문 영업이익이 지난해 4분기 바닥을 다지고, 올 1분기부터 수직 상승할 것으로 보고 목표 주가를 잇달아 상향 조정하고 있다. 한편, 서버용 D램 가격 폭등은 시차를 두고 PC와 모바일용 메모리 가격 상승으로 이어질 가능성이 크다. 업계 관계자는 "서버용 라인이 풀가동되면서 PC용 D램 생산 비중이 줄어들고 있다"며 "소비자용 메모리 제품 가격도 연쇄적인 상승 압력을 받게 될 것"이라고 경고했다. 관련 서울경제TV 영상
2026.01.09
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미국 마이크론 테크놀로지(이하 마이크론)가 29년 만에 소비자용 메모리 시장에서 철수한다. AI(인공지능) 산업이 촉발한 '슈퍼사이클'(초호황기)에 대응하기 위해 HBM(고대역폭메모리) 등 기업·데이터센터용 제품에 역량을 집중하겠다는 전략이다. 마이크론은 3일 보도자료를 통해 "전 세계 주요 소매점, 온라인 판매업체, 유통사를 통한 '크루셜(Crucial)' 소비자 제품 판매를 포함해 소비자 사업에서 철수하기로 했다"고 밝혔다. 크루셜 제품의 출하는 내년 2월까지만 이어진다. 수밋 사다나 마이크론 CBO(최고비즈니스책임자)는 "AI가 주도한 데이터센터 성장으로 메모리·스토리지 수요가 급증하고 있다"며 "더 빠르게 성장하는 부문에서 핵심 전략 고객을 중심으로 공급 역량을 강화하기 위해 소비자용 크루셜 사업에서 철수한다"고 설명했다. (중략) 이번 결정은 마이크론이 메모리·스토리지 포트폴리오를 수익성이 높은 엔터프라이즈·상업용 시장 중심으로 재편하는 전략과 맞닿아 있다. 소비자용 메모리는 상대적으로 수익성이 낮다. AI 호황으로 수요가 급증한 HBM·DDR(더블데이터레이트) 서버 메모리 등 고가 제품에 집중하기 위한 조치로 해석된다. 실제 최근 글로벌 클라우드 서비스 업체(CSP)의 대규모 주문으로 메모리 공급 부족이 심화하면서 가격도 급등하고 있다. 지난달 PC용 DDR5 16Gb 고정거래가격은 전월 대비 2배 이상 상승했다. CSP가 메모리를 고가에 쓸어가면서 스마트폰·PC 제조사들 메모리 확보에 어려움을 겪고 있다. 앞서 마이크론은 반도체 호황기였던 2017년에도 메모리카드·USB 등 휴대용 메모리 브랜드인 '렉사(Lexar)'를 중국 기업에 매각하며 소비자 제품군 축소를 진행한 바 있다. PC시장 이제 다죽나요.,..ㅜㅜ
2025.12.04
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SK하이닉스, 2029~2031 차세대 메모리 로드맵 공개 HBM5·DDR6·GDDR7-Next·400단 이상 4D 낸드 예고 SK하이닉스가 SK AI Summit 2025에서 2029~2031년을 겨냥한 차세대 메모리 로드맵을 공개했다. 로드맵에는 HBM5/HBM5E, GDDR7-Next, DDR6, 그리고 400층 이상 4D NAND가 포함돼 있으며, 차세대 AI 인프라와 고성능 컴퓨팅 수요에 대응하기 위한 구체적인 전략이 제시됐다. 2026~2028: HBM4·HBM4E와 맞춤형 HBM(Custom HBM) 하이닉스는 2026~2028년 사이 HBM4 16-Hi, HBM4E 8/12/16-Hi 제품군을 순차적으로 선보일 계획이다. 여기에 GPU·ASIC용 맞춤형(Custom) HBM 솔루션도 병행 개발 중이다. 커스텀 HBM은 HBM 컨트롤러 및 프로토콜 IP를 베이스 다이(Base Die) 로 이전해, GPU와 AI 가속기의 연산 칩 면적을 확장하고 인터페이스 전력 소비를 줄이는 구조를 채택한다. SK하이닉스는 솔루션의 베이스 다이와 공정 최적화를 위해 TSMC와 협력 중이다. 동 시기에는 또 다른 주요 DRAM 라인업으로 LPDDR6, LPDDR5X SOCAMM2, LPDDR5R, MRDIMM Gen2, CXL LPDDR6-PIM(2세대) 등 AI 중심의 DRAM 제품군이 포함된다. NAND 부문에서는 PCIe Gen5 eSSD(최대 245TB QLC), PCIe Gen6 eSSD/cSSD, UFS 5.0, 그리고 AI 연산에 특화된 AI-N NAND 솔루션이 개발된다. 2029~2031: HBM5·HBM5E와 DDR6, 그리고 GDDR7-Next 다음 단계인 2029~2031년 구간에는 HBM5와 HBM5E, 그리고 커스텀 HBM5 솔루션이 로드맵에 포함돼 있다. 그래픽 메모리에서는 GDDR7-Next가 새롭게 등장하며, 이는 현재의 GDDR7(최대 48Gbps)을 뛰어넘는 후속 규격이다. GDDR7의 최대 속도를 완전히 활용하는 데 2027~2028년까지 걸릴 것으로 예상되며, 하이닉스는 그 이후 차세대 표준으로 GDDR7-Next를 투입할 계획이다. 메인스트림 DRAM 시장에서는 DDR6이 같은 시기에 본격화된다. 이는 기존 DDR5 이후 데스크톱·노트북 PC에 적용될 차세대 규격으로, 업계 전반의 도입은 2030년 전후가 될 전망이다. NAND: 400층 이상 4D NAND 및 High-Bandwidth Flash(HBF) NAND 분야에서는 400단 이상 적층의 4D NAND와 함께 HBF(High-Bandwidth Flash) 기술이 주력으로 개발된다. HBF는 AI 추론(inference) 환경에서 높은 대역폭과 효율을 제공하도록 설계된 차세대 낸드 구조로, 향후 AI PC 및 고성능 SSD에서 핵심 역할을 담당할 것으로 기대된다. SK하이닉스는 로드맵에서 Full Stack AI Memory 전략을 제시했다. 기존 범용 메모리 중심 구조에서 벗어나, AI 최적화 DRAM(AI-D) 과 AI용 NAND(AI-N) 로 제품군을 세분화해 AI 연산 효율을 극대화한다는 계획이다. AI-D O(Optimization): 저전력·고성능 메모리로 TCO(총소유비용) 절감 및 효율성 향상 AI-D B(Breakthrough): 초대용량·유연한 메모리 할당으로 메모리 병목(Memory Wall) 극복 AI-D E(Expansion): 로보틱스, 자율주행, 산업 자동화 등으로 메모리 활용 영역 확장 SK하이닉스는 “AI 시대에는 컴퓨팅보다 메모리 효율이 핵심 경쟁력으로 작용할 것”이라며, HBM·AI-DRAM·AI-NAND로 이어지는 통합 메모리 생태계 구축에 집중하겠다고 밝혔다. 이는 하이닉스가 단순 메모리 제조사를 넘어 AI 인프라 최적화 기업으로의 전환을 선언한 전략적 신호로 해석된다. 출처: WCCFtech
2025.11.04
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“삼성 HBM4 공개, 로직 수율 90% 달성" 대량 양산 임박, 하이닉스·마이크론에 정면 도전 삼성이 차세대 HBM4 메모리를 처음으로 일반에 공개했다. 한국 반도체 산업의 대표주자인 삼성전자가 SK하이닉스와 마이크론이 주도하던 HBM 시장에 다시 본격적으로 뛰어들며, AI 시대 핵심 부품 경쟁의 중심으로 복귀한 셈이다. 경기도 일산에서 열린 SEDEX 2025(반도체대전) 현장에서 삼성은 HBM3E와 HBM4 모듈을 함께 전시하며 기술적 진전을 강조했다. “로직 다이 수율 90%, 양산은 시간문제.” DigiTimes의 보도에 따르면, 삼성의 HBM4 공정은 로직 다이 수율이 90%에 도달한 상태다. 이는 양산 전환 단계로 진입했음을 의미하며, 현재로서는 일정 지연 가능성도 없는 것으로 평가된다. 삼성은 과거 DRAM 시장에서 주도권을 잃었던 경험을 교훈 삼아, 이번에는 경쟁사와 동시에 양산 라인을 가동하는 전략을 택했다. “HBM4는 AI 경쟁력의 핵심.” HBM4는 고대역폭 메모리(High Bandwidth Memory) 기술의 차세대 규격으로, AI 연산 성능 향상에 직접적으로 기여하는 핵심 부품이다. 삼성, 하이닉스, 마이크론 등 글로벌 메모리 3사는 모두 HBM4 시장 선점을 위해 기술과 생산력을 집중하고 있다. 특히 핀 속도 11Gbps 수준의 성능을 목표로 하고 있으며, 이는 SK하이닉스나 마이크론이 제시한 수치보다 높은 수준이다. 가격 경쟁력과 생산량 확보를 동시에 추진해, 엔비디아(NVIDIA) 같은 주요 고객사의 채택을 이끌어내겠다는 전략이다. “엔비디아 인증은 아직… 하지만 자신감은 확고.” 현재 삼성은 엔비디아로부터 HBM4 공급 승인을 받지는 못했지만, 기술 완성도와 수율 면에서 긍정적인 평가를 받고 있다. 삼성 내부에서는 “기술적 우위가 이미 확보된 만큼, HBM4 세대에서는 뒤처지지 않을 것”이라는 자신감이 감지된다. 같은 행사에서 SK하이닉스 역시 TSMC와 협력해 개발한 HBM4 모듈을 선보였다. 하이닉스는 이미 HBM3E 시장에서 엔비디아와의 파트너십을 통해 확고한 점유율을 유지하고 있으며, HBM4에서도 빠른 대응 속도를 보이고 있다. “AI 반도체 수요 폭발, 경쟁은 이제부터.” AI 학습과 추론 성능의 핵심 부품으로 자리 잡은 HBM 시장은 그 어느 때보다 치열한 경쟁 구도로 접어들고 있다. 삼성이 수율, 속도, 가격 삼박자를 앞세운 HBM4 전략을 공개함에 따라, 차세대 메모리 시장은 한층 뜨겁게 달아오를 전망이다. 출처: WCCFtech / Muhammad Zuhair ** 해외 외신을 읽기 좋게 재구성, 커뮤니티 빌런 18+에만 업데이트 하였습니다.
2025.10.23
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중국의 대표적인 낸드(NAND) 플래시 메모리 업체 YMTC가 이제 DRAM 사업에 뛰어들고, ‘자국산 HBM’ 개발에 집중해 국내 공급난을 해결하려는 움직임을 보이고 있다. 현재 YMTC는 DRAM 생산 라인을 구축하고 있으며, HBM(고대역폭 메모리) 적층 기술 개발에도 착수한 상태다. 잘 알려진 대로 중국은 AI 칩 수요 급증으로 인해 HBM 부족 사태를 겪고 있으며, 이전 보도에 따르면 베이징은 수출 규제 이전에 확보한 HBM 재고에 의존해 왔지만 현재 거의 고갈된 상황이다. 단순한 칩 생산 부족보다 자국 내 HBM 공급 부재가 산업계에 더 큰 위협으로 다가오고 있으며, 이에 대응하기 위해 현지 기업들이 발 빠르게 움직이고 있다는 분석이다. 로이터에 따르면 YMTC 역시 DRAM 사업에 진출해 HBM 솔루션 자체 생산을 노리고 있다. 이번 움직임은 미국이 지난해 12월 고대역폭 메모리(HBM)를 포함한 첨단 반도체에 대한 대중국 수출 통제를 강화한 이후, 중국이 자국 내 첨단 칩 제조 역량을 키우려는 긴박한 상황을 잘 보여준다. HBM은 AI 칩셋 제작에 필수적인 특수 DRAM으로, 중국은 해외 의존도가 매우 높은 상태다. 또한 보도에 따르면 YMTC는 TSV(Through-Silicon Via)라고 불리는 첨단 패키징 기술에도 주력하고 있다. TSV는 여러 VRAM 다이를 적층해 연결하는 HBM 구현의 핵심 기술 중 하나다. YMTC는 NAND 사업에 이어 DRAM 전용 생산 라인을 세우려 하고 있으며, 이를 통해 HBM 생산을 직접 추진해 수요·공급 병목 현상을 완화하는 것을 목표로 하고 있다. 이는 현재 중국 내 빅테크 기업들의 AI 칩 도입을 가로막는 가장 큰 걸림돌 중 하나로 꼽힌다. 앞서 보도된 내용에 따르면, YMTC는 중국 DRAM 제조업체인 CXMT와 협력해 공동 HBM 생산에 나설 계획이다. 이 과정에서 CXMT는 3D 적층 기술 분야의 전문성을 제공할 것으로 전해졌다. YMTC는 우한 지역의 한 시설을 DRAM 생산 전용으로 배정할 예정이지만, 구체적인 생산 규모는 아직 불확실하다. DRAM 사업 진출은 비교적 새로운 시도이기 때문에 최종적인 성과가 나오기까지는 다소 시간이 걸릴 전망이다. HBM 공급 병목 현상은 중국 기업들이 반드시 해결해야 할 핵심 과제로 꼽히고 있다. 특히 최근 화웨이가 차세대 AI 칩에 자체 개발한 HBM 공정을 통합했다고 발표하면서, 중국 내 HBM 기술 확보 경쟁은 더욱 가속화되는 분위기다. https://wccftech.com/china-ymtc-is-now-tapping-into-the-dram-business/
2025.09.26
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출처: 마이크론 요약: 중국이 자체 GPU는 쓸만하게 만들어도, 자체 HBM은 쓸만하게 못만들기 때문. 중국이 미국에 HBM(고대역폭 메모리) 제재 완화를 요청한 것으로 전해졌다. 미국이 과거 엔비디아 GPU(그래픽 처리 장치)의 대중국 수출을 막았을 때 중국 당국이 제재 완화를 위해 적극적으로 나섰다는 보도는 없었다. 대신 엔비디아가 앞장서서 대중국 수출 통제를 완화해야 한다고 여론전을 펼쳤었다. 하지만 HBM 문제에 대해서 중국은 상당히 적극적인 태도를 취하고 있다. 영국 파이낸셜 타임즈(FT)는 10일(현지 시간) 중국의 관리들이 미국의 전문가들에게 HBM 수출 통제를 완화해줄 것을 희망했다고 보도했다. 또한 매체는 허리펑(何立峰) 중국 국무원 부총리가 이끄는 협상팀이 미국 측 카운터파트에 HBM 수출 통제 완화를 언급했다고도 전했다. 12일 중국 매체들은 해당 보도를 전하며 높은 관심을 드러냈다. 인터넷상에서는 IT 전문 블로거들을 중심으로 중국에 더욱 절실한 것은 GPU가 아닌 HBM이라는 평가들이 나오고 있다. 중략 AI 반도체 칩셋을 구성하기 위해서는 GPU도 필요하지만 HBM도 필요하다. AI 반도체 칩셋 원가의 절반은 HBM이다. 중국 내에서는 엔비디아의 성능에는 못 미치지만 GPU를 개발하고 있는 업체들이 여럿 존재한다. 특히 화웨이가 출시한 AI 칩인 어센드(성텅, 昇騰) 910B는 상당한 성능을 갖췄다는 평가를 받는다. 이 밖에도 비런커지(壁仞科技), 무얼셴청(摩尔線程), 중커수광(中科曙光), 한우지(寒武紀), 징자웨이(景嘉微) 등 업체들이 GPU를 출시한 상태이며, 더 나은 제품 개발에 매진하고 있다. 하지만 AI 반도체에 장착할 수 있는 HBM을 만드는 곳은 현재 중국에 존재하지 않는다. 중국 내 사실상 유일한 D램 업체인 CXMT(창신춘추, 長鑫存儲)는 지난해 예상보다 2년 앞당겨 HBM2를 양산했다. CXMT가 만들고 있는 HBM2로는 경쟁력 있는 AI 칩을 만들어낼 수 없다. HBM2는 글로벌 기준으로 7~8년 전 기술이기도 하다. CXMT는 내년 HBM3 생산을 목표로 하고 있으며, 2027년에는 HBM3E 양산을 추진하고 있다. 하지만 계획에 맞춰 양산에 성공할지는 미지수다. https://www.newspim.com/news/view/20250812000066
2025.08.13
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