[A.I] zNAND-O (삼성) vs HBF (하이닉스&샌디스크)
HBM과 HBF를 잘 설명 한 유튜브를 올립니다.
삼성은 콕 찍어서 잘 하고 싶은 것만 하는구나.
그런데 왜? Z를 즐겨하는지…
하이닉스와 샌디스크는 범용성(덩어리전송의 최적화)을, 삼성은 빠르거나 특정칩에 최적화를…
가는 길이 달라서…
원래 하이닉스는 인텔의 SSD사업부를 넘겨 받은 터고 샌드시크는 하이닉스랑 손잡지 않으면 도태될것 같고…
마이크론은 삼성의 방식을 따라가는 중이고…
무엇이 정답 그리고 표준… 이런게 무의미해지는 세상을 살아가야만 할 것 같다.
싸고 내가 원하는 기능에 특화 시키는 그런 세상이 오고 있다.
삼성은 SLC로 만들고, 하이닉스는 TLC-4D
낸드는 수명과 속도의 문제인데…
1. 삼성전자 주요 발표 내용
삼성전자는 AI 인프라의 성능을 극대화할 차세대 3D 메모리 비전을 제시했습니다.
zHBM 최초 공개 : AI 가속기 위에 HBM을 수직으로 쌓는 아키텍처
기존 HBM5 대비 성능은 8배, 전성비(전력 대비 성능)는 3배 향상.
V10 BV-NAND : 업계 최초로 400단 이상을 수직으로 쌓아 올린 10세대 V낸드를 공개
zNAND-O : 지정(특정) 온디바이스(On-device) AI 환경에 최적화된 초고속·고용량 차세대 낸드 솔루션.
2. SK하이닉스 주요 발표 내용
SK하이닉스는 급증하는 AI 데이터를 효율적으로 분산 처리하는 계층형 메모리(Tiered Memory) 아키텍처.
HBF(High Bandwidth Flash) 규격 공개 : 샌디스크와 협력하여
차세대 고대역폭 플래시인 HBF의 첫 표준 규격을 발표,
메모리 벽(Memory Wall)을 넘겠다!
375단 4D 낸드 웨이퍼 공개 : 전 세대 대비 전력 효율을 2.5배 높인 10세대(V10) 낸드 실물을 최초로 선보임.
FMS 2026은 엔비디아 위주였던 AI 반도체 판도에서 한국 기업들의 차세대 메모리 기술력이 세계적인 주목을 받게 됨.
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다크플래쉬
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ASRock
@asrock
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