미국이 우려해온 반도체 돌파구 현실화 조짐
중국이 자국 기술로 개발한 첫 번째 EUV 노광 장비 프로토타입을 구축한 것으로 전해졌다. 이는 미국이 수년간 경계해온 중국 반도체 기술 도약이 현실화되는 신호로 해석된다.
로이터 보도 내용에 따르면, 중국은 이미 EUV 노광이 가능한 프로토타입 장비를 완성했으며, 해당 장비는 실제로 자외선을 생성해 웨이퍼 식각을 수행할 수 있는 상태인 것으로 알려졌다. 아직 상용 단계와는 거리가 있지만, 기술적 진전 자체는 업계를 놀라게 할 수준이라는 평가가 나온다.
중국은 그동안 EUV 기술 확보를 국가 차원의 과제로 삼아왔다. SMIC를 비롯한 반도체 기업들은 ASML 장비를 직접 확보하지 못한 상황에서, 기존 기술을 역설계하거나 관련 인력을 영입하는 방식으로 돌파구를 모색해왔다. EUV 프로토타입은 그러한 장기적 시도의 결과로 보인다.
다만 현재 단계에서 중국의 EUV 장비는 완전히 독자적인 기술이라고 보기는 어렵다. 로이터는 해당 프로토타입이 과거 세대 ASML 장비의 일부 부품을 활용해 구성됐다고 전했다. 그럼에도 불구하고, 짧은 시간 안에 이 정도 수준의 EUV 시스템을 구현했다는 점 자체가 충격적이라는 평가가 뒤따른다.
올해 4월, ASML 최고경영자 크리스토프 푸케는 중국이 EUV 기술을 자체적으로 개발하려면 “아주, 아주 오랜 시간이 필요할 것”이라고 언급한 바 있다. 그러나 프로토타입의 존재는 중국이 예상보다 훨씬 빠르게 반도체 자립에 접근하고 있음을 시사한다.
중국 EUV 장비는 아직 실제 칩을 테이프아웃한 단계는 아니다. 그러나 관련 업계는 중국이 2030년 전후로 EUV 공정을 실질적으로 활용할 수 있을 가능성을 언급하고 있다. 이는 기존에 제기되던 전망보다 훨씬 앞당겨진 일정이다.
EUV 노광 장비는 광원, 진공 시스템, 정밀 광학, 초고정밀 제어 등 복잡한 요소가 결합된 장비다. 중국이 어떤 방식으로 광원을 구현했는지, 노광 정확도를 어느 수준까지 끌어올렸는지는 아직 알려지지 않았다. 그럼에도 불구하고, EUV라는 가장 높은 기술 장벽에 직접 도전하고 있다는 점은 분명하다.
중국 내에서 자체 반도체 역량에 대한 수요는 AI 붐과 함께 급격히 커지고 있다. 화웨이를 비롯한 기업들은 SMIC와 협력해 생산 설비 네트워크를 구축하며 칩 확보에 총력을 기울이고 있다. 앞서 공개된 SMIC의 N+3 공정 역시, EUV 없이 5나노급에 근접한 결과를 끌어냈다는 평가를 받으며 주목을 받았다.
중국 내 EUV 프로토타입은 아직 갈 길이 멀다. 하지만 미국의 제재 속에서도 중국이 반도체 기술의 최상위 단계에 도달하려는 시도를 멈추지 않았다는 점, 그리고 그 성과가 예상보다 빠르게 나타나고 있다는 점에서 의미가 크다. EUV 장비가 실제 양산 공정에 투입될 수 있을지, 그리고 글로벌 반도체 질서에 어떤 변화를 가져올지는 앞으로 수년간 가장 중요한 관전 포인트가 될 것으로 보인다.
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