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꿈같은 이야기...중국 DFSX, 메모리 대역폭으로 엔비디아 도전… 14나노 AI 칩으로 GB200 넘본다

 
쪽지 2026-08-03 20:01
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기사에 나온 내용을 기반으로 다시 정리를 해 보았다.

만약 그 메모리가 좋았다면 왜? 삼전닉스가 만들지 않을까?
그리고 공정이 너무 예전이라…
설마 퀄컴처럼 HBC란 말일까?

대륙의 기술은 항상 확인을 해야 한다.. 거짓말의 중심인 나라이기에…

구분
 
냉각 
아키텍처
칩셋 
열 밀도
메모리 
내열 한계
랙당 
총 소비전력
전력 대비 
연산 효율
메모리 
통신 전력
열 관리 
실패 리스크
엔비디아 GB200 NVL72 (HBM3e 방식)수랭식 (Liquid Cooling) 
전면 도입
낮음 
(평면 분산 배치로 열 방출 유리)

약 
105℃ 

~ 125℃ (HBM3e 표준 사양)

약 120 kW 
내외
매우 높음 (4nm 미세 공정으로 와트당 성능 극대화)상대적으로 
높음 
(인터포저를 거치며 전력 손실 발생)
상대적으로 
낮음 
(안정성 검증 완료)
둥팡쏸신 DF2000 (3D DRAM 방식)
 
수랭식 + 
특수 
방열 소재 
복합 적용
매우 높음 (GPU 위에 메모리가 쌓여 열이 갇힘)약 
85℃ 
~ 95℃ 
(일반 DRAM 기반 구조)
약 120 kW (TY64 슈퍼노드 기준)낮음 
(14nm 구형 공정으로 인해 순수 연산 효율 저하)
최소화 
(수직 연결로 데이터 이동 전력 획득)
매우 높음 
(열 누적으로 인한 성능 저하/스프링 현상 위험)
발열
/전력 관점의
 핵심 차이 와
이유
 
DF2000은 
상하 적층 
구조 특성상 
다차원 냉각이 필수적임
3D 적층은 
열이 빠져나갈 면적이 좁아 열밀도가 급상승함
일반 DRAM 소자는 고온에서 데이터 유실 가능성이 더 높음시스템 전체 전력 총량은 두 시스템이 유사한 수준임
 
DF2000은 공정 한계로 인해 동일 연산 시 더 많은 전력을 씀DF2000은 데이터 이동 거리가 짧아 통신 전력은 크게 절감됨3D 구조는 상단 메모리가 하단 GPU의 열을  흡수하는 구조적 
취약점 존재

성능이 공정을 앞서기는 힘들다.

미국이 죽어라 막는 이유…

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