르네사스, 업계 최초 DDR5 Gen6 RCD 공개
RDIMM 모듈에서 최대 9600MT/s 지원
르네사스 일렉트로닉스(Renesas Electronics) 가 업계 최초이자 가장 빠른 6세대 DDR5 RCD(Registered Clock Driver) 를 공개했다. DDR5 RDIMM(Registered DIMM) 모듈에서 최대 9600MT/s(메가전송/초) 속도를 구현하며, 기존 5세대 대비 10% 높은 메모리 대역폭을 제공한다.

르네사스는 공식 보도자료를 통해 “Gen6 DDR5 RCD는 업계 최초로 9600MT/s 전송 속도를 달성했다”며, AI·HPC(고성능 컴퓨팅)·대규모 언어 모델(LLM) 등 데이터센터 워크로드의 폭증하는 메모리 요구에 대응하기 위한 차세대 서버 메모리 솔루션이라고 밝혔다.
대역폭 10% 향상: 기존 Gen5 RCD(8800MT/s) 대비 9600MT/s로 업그레이드
완벽한 하위 호환성: Gen5 플랫폼과의 호환을 유지해 손쉬운 업그레이드 가능
향상된 신호 무결성(Signal Integrity) 및 전력 효율: AI·HPC 환경에서 안정적인 고속 데이터 전송 보장
확장된 DFE(Decision Feedback Equalization) 아키텍처: 8탭 구조와 1.5mV 단위 세밀한 튜닝으로 신호 마진 확보
DESTM(Decision Engine Signal Telemetry and Margining) 지원: 실시간 신호 품질 분석과 마진 모니터링 기능 제공
르네사스 관계자는 “AI와 HPC 워크로드가 폭발적으로 증가하면서 메모리 서브시스템의 한계가 가시화되고 있다”며, “9600MT/s DDR5 RCD는 차세대 서버 및 AI 시스템이 요구하는 메모리 대역폭을 충족시키는 핵심 기술이 될 것”이라고 말했다.
삼성전자 역시 Gen6 RCD의 도입에 강한 기대감을 표했다. “삼성은 Gen5 DDR5 RCD 및 PMIC5030의 성공적인 검증을 포함해 여러 세대에 걸쳐 르네사스와 협력해 왔습니다. 이제 우리는 Gen6 RCD를 DDR5 DIMM에 통합해 다양한 SoC 플랫폼에서 AI·HPC·메모리 집약적 워크로드의 수요 증가에 대응하게 되어 매우 기쁩니다.”
6세대 RCD는 향후 서버 및 클라우드 인프라 시장에서 DDR5 RDIMM 모듈의 표준을 새롭게 정의할 제품으로 평가받고 있으며, 다수의 CPU 및 메모리 제조사와의 검증 절차를 통해 2026년 상반기 양산이 예정되어 있다.