조텍 프래그마타 게임 번들

[궁금해] 하이닉스 HBF 와 삼성전자 zNAND-O 란?

 
쪽지 2026-08-07 00:13
8
0

하이닉스와 삼성이 AI에 대한 각자의 해법을 제시한 FMS2026의 발표자료 정리

비교 항목
 

SK하이닉스 
HBF  (High Bandwidth Flash)

삼성전자 
zNAND-O  (지낸드-오)

주요 개념 및 포지션

HBM과 eSSD 사이의 공백을 메우는 
'계층형 메모리(Tiered Memory)' 솔루션
스마트폰, PC 등 기기 내부에서 
실시간 대규모 데이터를 처리하는 '온디바이스 AI' 
최적화 솔루션

핵심 작동 원리
 

- 개방형 칩렛 인터페이스인 'UCIe' 규격을 사용해 GPU/CPU 프로세서와 다이(Die) 간 초고속 연결
- 수십 개의 낸드 다이를 극단적인 병렬 구조로 연결하여 대역폭 한계 극복
- 기존 V-NAND의 수직 적층 기술에 HBM에서 쓰이는 'TSV(관통실리콘비아)' 기술을 결합

- 4단 또는 8단의 고성능 낸드 플래시 칩을 3D 패키징하여 물리적 이동 거리 최소화

기반 
반도체 소자

- 샌디스크 협력 기반의 차세대 
   BiCS10 3D 낸드 소자 활용
- 초고용량 구현을 위해 고밀도 TLC 및 
   QLC 플래시 소자 기반 설계
- 삼성전자의 최신 수직 적층 낸드 소자 기술 기반

- 400단 이상의 초고적층 'V10 BV-NAND' 아키텍처 기술이 융합 적용 (SLC)

최대 성능 및 스펙

- 용량: 최대 512GB (8단 또는 16단 적층)
- 대역폭: 등급별 최소 0.4TB/s ~ 최대 3.0TB/s     초고속 대역폭 구현
- 온디바이스 환경에 맞춘 높은 공간 효율성 제공
- 기존 플래시 대비 극대화된 데이터 로딩 대역폭 및 
     초저지연 응답 속도

핵심 장점 (Pros)
 

- 대용량 확보: HBM의 용량 한계를 극복하여 대규모 AI 추론 시 KV 캐시 및 가중치 저장에 유리
- 생태계 확장: OCP(개방형 데이터센터 협력체)를 통해 규격을 공개하여 구글, 텐스토렌트 등 글로벌 빅테크와의 호환성 확보
- 극대화된 전성비: 3D 패키징 및 TSV 적용으로 데이터 이동 거리를 대폭 줄여 전력 효율 및 속도 동시 확보

- 온디바이스 특화: 엣지 환경에 적합한 공간 효율성과 실시간 데이터 처리 능력 우수
 

핵심 단점 (Cons)
 

- 지연 시간 한계: 대역폭은 혁신적으로 높였으나 D램 기반의 HBM이 가진 원천적인 초저지연 성능을 넘기 어려움
- 쓰기 내구성: 읽기 중심(추론) 작업에 최적화되어 있어, 빈번한 고속 쓰기(학습) 연산에는 수명 제약 존재

- 기술 복잡도: 낸드 소자에 고난도의 TSV 공정 및 3D 패키징을 도입해야 하므로 초기 제조(SLC) 단가 상승 우려
 

- 확장성 폐쇄성: SK하이닉스의 오픈 연합군 생태계 대비 삼성 중심의 자체 원스톱 솔루션(IDM)에 의존적
 

타깃 AI 
워크로드

거대언어모델(LLM) 추론, 
AI 데이터센터용 읽기 중심 스토리지 풀
스마트폰·PC·온디바이스 AI 가속기 등의 
내부의 실시간 AI 연산 보조 및 초고속 로딩
8
0
By 콘텐츠 제보 및 정정요청 = master@villain.city
저작권자ⓒ 커뮤니티 빌런 18+ ( Villain ), 무단전재 및 재배포 Ai 학습 포함 금지
Comment
최대 128x128 권장
2026.08.05
1
6
2026.04.21
7
3
인텔 코어 울트라5
  • 종합
  • 뉴스/정보
  • 커뮤니티
  • 질문/토론